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多孔硅阵列结构的形貌研究

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范晓强, 蒋勇, 展长勇, 邹宇, 伍建春, 黄宁康, 王春芬. 2013: 多孔硅阵列结构的形貌研究, 强激光与粒子束, 25(9): 2439-2442. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2439
引用本文: 范晓强, 蒋勇, 展长勇, 邹宇, 伍建春, 黄宁康, 王春芬. 2013: 多孔硅阵列结构的形貌研究, 强激光与粒子束, 25(9): 2439-2442. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2439
shu
Fan Xiaoqiang, Jiang Yong, Zhan Changyong, Zou Yu, Wu Jianchun, Huang Ningkang, Wang Chunfen. 2013: Study on morphology of silicon macropore array, High Power Lase and Particle Beams, 25(9): 2439-2442. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2439
Citation: Fan Xiaoqiang, Jiang Yong, Zhan Changyong, Zou Yu, Wu Jianchun, Huang Ningkang, Wang Chunfen. 2013: Study on morphology of silicon macropore array, High Power Lase and Particle Beams, 25(9): 2439-2442. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2439
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多孔硅阵列结构的形貌研究

  • 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳,621900

  • 四川大学原子核科学技术研究所,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都610064

  • 洛阳船舶材料研究所,河南洛阳,471039

Study on morphology of silicon macropore array

  • 摘要: 采用电化学腐蚀方法分别在HF+异丙醇(IPA)和HF+ IPA+十六烷基三甲基氯化铵(CATC)溶液中制备多孔硅结构阵列,分别讨论HF酸浓度、CTAC、刻蚀电流、刻蚀时间对多孔硅阵列的形貌的影响.结果表明:在质量分数40％HF,H2O,IPA的体积比为7∶4∶29时得到优化的多孔硅阵列；腐蚀电流密度越大,孔壁越薄；初始的腐蚀会向外扩展直到形成的孔径达近10 μm,在窗口8μm、间距5μm的硅片上腐蚀的孔壁表面出现小孔.CTAC的加入会使孔壁上刻蚀出小孔,并随着CTAC的增加,小孔的孔径减小,数量增加.
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出版历程
  • 刊出日期:  2013-09-30

多孔硅阵列结构的形貌研究

  • 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳,621900
  • 四川大学原子核科学技术研究所,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都610064
  • 洛阳船舶材料研究所,河南洛阳,471039

摘要: 采用电化学腐蚀方法分别在HF+异丙醇(IPA)和HF+ IPA+十六烷基三甲基氯化铵(CATC)溶液中制备多孔硅结构阵列,分别讨论HF酸浓度、CTAC、刻蚀电流、刻蚀时间对多孔硅阵列的形貌的影响.结果表明:在质量分数40％HF,H2O,IPA的体积比为7∶4∶29时得到优化的多孔硅阵列；腐蚀电流密度越大,孔壁越薄；初始的腐蚀会向外扩展直到形成的孔径达近10 μm,在窗口8μm、间距5μm的硅片上腐蚀的孔壁表面出现小孔.CTAC的加入会使孔壁上刻蚀出小孔,并随着CTAC的增加,小孔的孔径减小,数量增加.

English Abstract

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