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基于多芯片封装的半导体激光器热特性

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王文, 褚金雷, 高欣, 张晶, 乔忠良, 薄报学. 2014: 基于多芯片封装的半导体激光器热特性, 强激光与粒子束, 26(1): 80-85. doi: 10.3788/HPLPB201426.011015
引用本文: 王文, 褚金雷, 高欣, 张晶, 乔忠良, 薄报学. 2014: 基于多芯片封装的半导体激光器热特性, 强激光与粒子束, 26(1): 80-85. doi: 10.3788/HPLPB201426.011015
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Wang Wen, Chu Jinlei, Gao Xin, Zhang Jing, Qiao Zhongliang, Bo Baoxue. 2014: Thermal characteristics of semiconductor laser based on muti-chip packaging, High Power Lase and Particle Beams, 26(1): 80-85. doi: 10.3788/HPLPB201426.011015
Citation: Wang Wen, Chu Jinlei, Gao Xin, Zhang Jing, Qiao Zhongliang, Bo Baoxue. 2014: Thermal characteristics of semiconductor laser based on muti-chip packaging, High Power Lase and Particle Beams, 26(1): 80-85. doi: 10.3788/HPLPB201426.011015
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基于多芯片封装的半导体激光器热特性

  • 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022

  • 中国计量学院光电技术研究所,杭州,310018

Thermal characteristics of semiconductor laser based on muti-chip packaging

  • 摘要: 设计了一种由12只单条形芯片分为2组以从高到低阶梯排列的百瓦级半导体激光器结构.针对其在稳态工作条件下的热特性利用ANSYS软件进行了模拟分析,通过改变Cu热沉的宽度、间距和高度差,得到了最高和最低Cu热沉封装的芯片有源区温度及两者温度差值的变化规律.最后设计了一种较为理想的百W级半导体激光器的散热结构.
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出版历程
  • 刊出日期:  2014-01-30

基于多芯片封装的半导体激光器热特性

  • 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022
  • 中国计量学院光电技术研究所,杭州,310018

摘要: 设计了一种由12只单条形芯片分为2组以从高到低阶梯排列的百瓦级半导体激光器结构.针对其在稳态工作条件下的热特性利用ANSYS软件进行了模拟分析,通过改变Cu热沉的宽度、间距和高度差,得到了最高和最低Cu热沉封装的芯片有源区温度及两者温度差值的变化规律.最后设计了一种较为理想的百W级半导体激光器的散热结构.

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