高级搜索

辉光放电质谱法测定高纯锑中的痕量杂质元素

,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

荣百炼, 普朝光, 姬荣斌, 鲁燕杰. 2004: 辉光放电质谱法测定高纯锑中的痕量杂质元素, 质谱学报, 25(2): 96-99. doi: 10.3969/j.issn.1004-2997.2004.02.008
引用本文: 荣百炼, 普朝光, 姬荣斌, 鲁燕杰. 2004: 辉光放电质谱法测定高纯锑中的痕量杂质元素, 质谱学报, 25(2): 96-99. doi: 10.3969/j.issn.1004-2997.2004.02.008
shu
2004: Determination of Trace Element in High Purity Sb by Glow Discharge Mass Spectrometry, Journal of Chinese Mass Spectrometry Society, 25(2): 96-99. doi: 10.3969/j.issn.1004-2997.2004.02.008
Citation: 2004: Determination of Trace Element in High Purity Sb by Glow Discharge Mass Spectrometry, Journal of Chinese Mass Spectrometry Society, 25(2): 96-99. doi: 10.3969/j.issn.1004-2997.2004.02.008
shu

辉光放电质谱法测定高纯锑中的痕量杂质元素

  • 昆明物理研究所,云南,昆明,650223

  • 云南通海大方科技公司,云南,通海,652700

Determination of Trace Element in High Purity Sb by Glow Discharge Mass Spectrometry

  • 摘要: 采用辉光放电质谱法(GDMS)对高纯半导体材料锑中的Mg、Si、S、Mn等14种痕量杂质元素进行测量.对仪器工作参数进行了优化选择,并对杂质浓度与溅射时间的关系、质谱干扰对测量的影响及测量的准确性和重现性进行了探讨.实验表明:样品经足够长时间的溅射,可以消除样品制备和处理过程中的表面污染,可以为其它高纯材料的检测提供可靠的科学依据.辉光放电质谱法是检定高纯半导体材料的理想工具.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  459
  • HTML全文浏览数:  57
  • PDF下载数:  58
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2004-05-28

辉光放电质谱法测定高纯锑中的痕量杂质元素

  • 昆明物理研究所,云南,昆明,650223
  • 云南通海大方科技公司,云南,通海,652700

摘要: 采用辉光放电质谱法(GDMS)对高纯半导体材料锑中的Mg、Si、S、Mn等14种痕量杂质元素进行测量.对仪器工作参数进行了优化选择,并对杂质浓度与溅射时间的关系、质谱干扰对测量的影响及测量的准确性和重现性进行了探讨.实验表明:样品经足够长时间的溅射,可以消除样品制备和处理过程中的表面污染,可以为其它高纯材料的检测提供可靠的科学依据.辉光放电质谱法是检定高纯半导体材料的理想工具.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回