高级搜索

Cu互连工艺中Ta基扩散阻挡层的二次离子质谱剖析

,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

曹永明, 方培源, 姜蕾. 2004: Cu互连工艺中Ta基扩散阻挡层的二次离子质谱剖析, 质谱学报, 25(z1): 1-2. doi: 10.3969/j.issn.1004-2997.2004.z1.001
引用本文: 曹永明, 方培源, 姜蕾. 2004: Cu互连工艺中Ta基扩散阻挡层的二次离子质谱剖析, 质谱学报, 25(z1): 1-2. doi: 10.3969/j.issn.1004-2997.2004.z1.001
shu
2004: Analysis of Ta-based Barrier Layer of Cu-interconnect by Second Ion Mass Spectrometry, Journal of Chinese Mass Spectrometry Society, 25(z1): 1-2. doi: 10.3969/j.issn.1004-2997.2004.z1.001
Citation: 2004: Analysis of Ta-based Barrier Layer of Cu-interconnect by Second Ion Mass Spectrometry, Journal of Chinese Mass Spectrometry Society, 25(z1): 1-2. doi: 10.3969/j.issn.1004-2997.2004.z1.001
shu

Cu互连工艺中Ta基扩散阻挡层的二次离子质谱剖析

  • 复旦大学材料科学系,上海,200433

  • 上海Intel公司,上海,201203

Analysis of Ta-based Barrier Layer of Cu-interconnect by Second Ion Mass Spectrometry

计量
  • 文章访问数:  385
  • HTML全文浏览数:  52
  • PDF下载数:  28
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2004-12-30

Cu互连工艺中Ta基扩散阻挡层的二次离子质谱剖析

  • 复旦大学材料科学系,上海,200433
  • 上海Intel公司,上海,201203

摘要: 在集成电路工艺中,硅芯片上的电子组件是采用金属导线将它相互连接起来[1].可作互连导线的金属有Al、Au、Ag、Cu和Ti等.集成度并不高的传统IC工艺中,使用的金属是Al.但铝在硅中容易发生电迁移、发生Al/Si共熔的"铝吃硅"现象、在300 ℃左右的工艺温度下,铝膜上会形成突起,有时甚至会穿透相互连线之间的电介质绝缘层,造成短路[2].所以当IC工艺水平发展到0.18 μm以下时,铝的电阻率及抗电迁移性能已经不能满足实际需求,必须开发新的金属材料.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回