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重掺砷硅单晶中痕量硼二次离子质谱定量分析的异常现象

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方培源. 2006: 重掺砷硅单晶中痕量硼二次离子质谱定量分析的异常现象, 质谱学报, 27(1): 26-29. doi: 10.3969/j.issn.1004-2997.2006.01.006
引用本文: 方培源. 2006: 重掺砷硅单晶中痕量硼二次离子质谱定量分析的异常现象, 质谱学报, 27(1): 26-29. doi: 10.3969/j.issn.1004-2997.2006.01.006
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FANG Pei-yuan. 2006: Abnormal Phenomena of Trace Boron in Heavily As Doped Silicon Crystal Using Second Ion Mass Spectrometry Analysis, Journal of Chinese Mass Spectrometry Society, 27(1): 26-29. doi: 10.3969/j.issn.1004-2997.2006.01.006
Citation: FANG Pei-yuan. 2006: Abnormal Phenomena of Trace Boron in Heavily As Doped Silicon Crystal Using Second Ion Mass Spectrometry Analysis, Journal of Chinese Mass Spectrometry Society, 27(1): 26-29. doi: 10.3969/j.issn.1004-2997.2006.01.006
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重掺砷硅单晶中痕量硼二次离子质谱定量分析的异常现象

  • 复旦大学材料科学系,上海,200433

    • 通讯作者: 方培源

Abnormal Phenomena of Trace Boron in Heavily As Doped Silicon Crystal Using Second Ion Mass Spectrometry Analysis

    Corresponding author: FANG Pei-yuan

  • 摘要: 在用二次离子质谱(SIMS)进行重掺砷硅单晶中痕量硼的定量分析时,有时会出现硅片表面局部区域硼浓度非常高,接近1016atom/cm3的现象.但是只要把分析区域横向移动几百微米的距离,硼浓度就降到正常范围＜1×1014atom/em3.按重掺砷硅单晶制备工艺过程,硼在硅单晶中的分布应该是非常均匀的,而且存在这种硼浓度分布的异常硅单晶加工生产的n/n+外延片并没有出现质量问题.这说明硼浓度分布异常的情况也许是一个假像.本文将探索这一异常情况与硅中所存在的氧的相互关系.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-02-28

重掺砷硅单晶中痕量硼二次离子质谱定量分析的异常现象

    通讯作者: 方培源
  • 复旦大学材料科学系,上海,200433

摘要: 在用二次离子质谱(SIMS)进行重掺砷硅单晶中痕量硼的定量分析时,有时会出现硅片表面局部区域硼浓度非常高,接近1016atom/cm3的现象.但是只要把分析区域横向移动几百微米的距离,硼浓度就降到正常范围＜1×1014atom/em3.按重掺砷硅单晶制备工艺过程,硼在硅单晶中的分布应该是非常均匀的,而且存在这种硼浓度分布的异常硅单晶加工生产的n/n+外延片并没有出现质量问题.这说明硼浓度分布异常的情况也许是一个假像.本文将探索这一异常情况与硅中所存在的氧的相互关系.

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