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1.30-2.21 MeV质子在硅上的160°散射截面测量

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李公平, 张小东, 刘正民. 2002: 1.30-2.21 MeV质子在硅上的160°散射截面测量, 原子核物理评论, 19(1): 39-41. doi: 10.3969/j.issn.1007-4627.2002.01.008
引用本文: 李公平, 张小东, 刘正民. 2002: 1.30-2.21 MeV质子在硅上的160°散射截面测量, 原子核物理评论, 19(1): 39-41. doi: 10.3969/j.issn.1007-4627.2002.01.008
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2002: Non-Rutherford Elastic Scattering Cross Sections for 160°Backscattering of 1.30-2.21 MeV Protons on Silicon, Nuclear Physics Review, 19(1): 39-41. doi: 10.3969/j.issn.1007-4627.2002.01.008
Citation: 2002: Non-Rutherford Elastic Scattering Cross Sections for 160°Backscattering of 1.30-2.21 MeV Protons on Silicon, Nuclear Physics Review, 19(1): 39-41. doi: 10.3969/j.issn.1007-4627.2002.01.008
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1.30-2.21 MeV质子在硅上的160°散射截面测量

  • 兰州大学现代物理系,甘肃,兰州,730000

Non-Rutherford Elastic Scattering Cross Sections for 160°Backscattering of 1.30-2.21 MeV Protons on Silicon

  • 摘要: 采用薄靶对能量1.30-2.21 MeV质子在纯度为99.99%硅上的非卢瑟福弹性背散射截面(160°背散射角)进行了测量. 质子束由2×1.7 MV串列加速器提供, 测量仪器采用金硅面垒探测能谱仪. 实验中最低能区进入卢瑟福弹性散射能区, 测量结果与以前发表的结果进行了比较. 所测量数据可供从事背散射分析技术的有关人员参考.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-03-20

1.30-2.21 MeV质子在硅上的160°散射截面测量

  • 兰州大学现代物理系,甘肃,兰州,730000

摘要: 采用薄靶对能量1.30-2.21 MeV质子在纯度为99.99%硅上的非卢瑟福弹性背散射截面(160°背散射角)进行了测量. 质子束由2×1.7 MV串列加速器提供, 测量仪器采用金硅面垒探测能谱仪. 实验中最低能区进入卢瑟福弹性散射能区, 测量结果与以前发表的结果进行了比较. 所测量数据可供从事背散射分析技术的有关人员参考.

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