微处理器80C86及其外围芯片协合效应实验研究

张庆祥; 杨兆铭

doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.01.015

原子核物理评论

微处理器80C86及其外围芯片协合效应实验研究

张庆祥, 杨兆铭. 2002: 微处理器80C86及其外围芯片协合效应实验研究, 原子核物理评论, 19(1): 70-72. doi: 10.3969/j.issn.1007-4627.2002.01.015

引用本文:

张庆祥, 杨兆铭. 2002: 微处理器80C86及其外围芯片协合效应实验研究, 原子核物理评论, 19(1): 70-72. doi: 10.3969/j.issn.1007-4627.2002.01.015

2002: Total Dose Dependence of SEE Sensitivities for Microprocessor 80C86 and Its Peripheral Chip 82C85, Nuclear Physics Review, 19(1): 70-72. doi: 10.3969/j.issn.1007-4627.2002.01.015

Citation:

2002: Total Dose Dependence of SEE Sensitivities for Microprocessor 80C86 and Its Peripheral Chip 82C85, Nuclear Physics Review, 19(1): 70-72. doi: 10.3969/j.issn.1007-4627.2002.01.015

微处理器80C86及其外围芯片协合效应实验研究

兰州物理研究所真空低温技术与物理国家实验室,甘肃,兰州,730000

Total Dose Dependence of SEE Sensitivities for Microprocessor 80C86 and Its Peripheral Chip 82C85

摘要: 研究了总剂量辐照对微处理器80C86及其外围芯片82C85单粒子效应敏感度的影响. 252Cf轰击80C86获得的单粒子效应截面在0-120 Gy(Si)剂量范围内没有明显的变化; 外围芯片82C85中发生的单粒子脉冲可能引起系统故障.
- 单粒子效应 /
- 总剂量效应 /
- 微处理器 /
- 外围芯片