多重电子超越现象对高功率注入大间隙速调管中束流群聚特性的影响

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白现臣, 杨建华, 张建德, 靳振兴. 2013: 多重电子超越现象对高功率注入大间隙速调管中束流群聚特性的影响, 物理学报, null(5): 501-507. doi: 10.7498/aps.62.058402
引用本文: 白现臣, 杨建华, 张建德, 靳振兴. 2013: 多重电子超越现象对高功率注入大间隙速调管中束流群聚特性的影响, 物理学报, null(5): 501-507. doi: 10.7498/aps.62.058402
2013: Influences of the multiple electron overtaking on the bunching process of the wide-gap klystron amplifier under high power injection condition?, Acta Physica Sinica, null(5): 501-507. doi: 10.7498/aps.62.058402
Citation: 2013: Influences of the multiple electron overtaking on the bunching process of the wide-gap klystron amplifier under high power injection condition?, Acta Physica Sinica, null(5): 501-507. doi: 10.7498/aps.62.058402

多重电子超越现象对高功率注入大间隙速调管中束流群聚特性的影响

Influences of the multiple electron overtaking on the bunching process of the wide-gap klystron amplifier under high power injection condition?

  • 摘要: 当注入功率较高时,大间隙速调管输入腔的基频电流分布中,除常规意义上的最佳群聚电流峰值(第一峰值电流)外,出现了与第一峰值电流幅值相当的第二峰值电流.结合群聚理论和粒子模拟结果,研究和讨论了第二峰值电流产生的机理.研究结果表明,第二峰值电流的出现由高电压调制系数下出现的多重电子超越效应造成.当二极管电压600 kV,束流5 kA,工作频率3.6 GHz时,利用多重超越效应可在保持最佳群聚距离基本不变的前提下,把大间隙速调管的束流群聚深度由80%提高到92%,群聚束流的基频功率也从2.2 GW提高到2.8 GW,增幅约27%.
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出版历程
  • 刊出日期:  2013-03-15

多重电子超越现象对高功率注入大间隙速调管中束流群聚特性的影响

  • 国防科学技术大学光电科学与工程学院,长沙 410073

摘要: 当注入功率较高时,大间隙速调管输入腔的基频电流分布中,除常规意义上的最佳群聚电流峰值(第一峰值电流)外,出现了与第一峰值电流幅值相当的第二峰值电流.结合群聚理论和粒子模拟结果,研究和讨论了第二峰值电流产生的机理.研究结果表明,第二峰值电流的出现由高电压调制系数下出现的多重电子超越效应造成.当二极管电压600 kV,束流5 kA,工作频率3.6 GHz时,利用多重超越效应可在保持最佳群聚距离基本不变的前提下,把大间隙速调管的束流群聚深度由80%提高到92%,群聚束流的基频功率也从2.2 GW提高到2.8 GW,增幅约27%.

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