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高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为

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吴渊渊, 郑新和?, 王海啸, 甘兴源, 文瑜, 王乃明, 王建峰, 杨辉. 2013: 高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为, 物理学报, null(8): 086101. doi: 10.7498/aps.62.086101
引用本文: 吴渊渊, 郑新和?, 王海啸, 甘兴源, 文瑜, 王乃明, 王建峰, 杨辉. 2013: 高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为, 物理学报, null(8): 086101. doi: 10.7498/aps.62.086101
shu
2013: High-quality InGaN epilayers grown by PA-MBE and abnormal incorporation behavior of Indium into InGaN, Acta Physica Sinica, null(8): 086101. doi: 10.7498/aps.62.086101
Citation: 2013: High-quality InGaN epilayers grown by PA-MBE and abnormal incorporation behavior of Indium into InGaN, Acta Physica Sinica, null(8): 086101. doi: 10.7498/aps.62.086101
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高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为

  • 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件与应用重点实验室,苏州 215123

  • 中国科学院大学,北京 100080

High-quality InGaN epilayers grown by PA-MBE and abnormal incorporation behavior of Indium into InGaN

  • 摘要: 采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1?xN (x 0.2)外延薄膜.生长温度为580?C的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2)面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒,背景电子浓度为3.96×1018/cm3.在富金属生长区域, Ga束流超过N的等效束流时, In组分不为零,即Ga并没有全部并入外延层;另外,稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量.
    Abstract: @@@@Growth behaviors of InxGa1?xN (x 0.2) materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) are investigated in detail. A precise control of the incorporation of indium into InxGa1?xN at a growth temperature of 580?C is realized. The In0.19Ga0.81N shows a very narrow width of 587 arcsec for the (10.2) asymmetrical reflection from high-resolution X-ray diffraction and the back-ground electronic concentration is 3.96×1018 cm3. In the region of metal-rich growth, no negligible indium incorporation is observed even if the Ga beam flux is much larger than the equivalent N flux. This growth behavior might be ascribed to an incomplete Ga incor-poration during InGaN growth. In addition, a slight increase of In flux results in crystalline quality degradation of InGaN epilayers.
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出版历程
  • 刊出日期:  2013-04-30

高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为

  • 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件与应用重点实验室,苏州 215123
  • 中国科学院大学,北京 100080

摘要: 采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1?xN (x 0.2)外延薄膜.生长温度为580?C的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2)面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒,背景电子浓度为3.96×1018/cm3.在富金属生长区域, Ga束流超过N的等效束流时, In组分不为零,即Ga并没有全部并入外延层;另外,稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量.

English Abstract

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