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基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计*

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李亚明, 刘智, 薛春来, 李传波, 成步文?, 王启明. 2013: 基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计*, 物理学报, null(11): 290-294. doi: 10.7498/aps.62.114208
引用本文: 李亚明, 刘智, 薛春来, 李传波, 成步文?, 王启明. 2013: 基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计*, 物理学报, null(11): 290-294. doi: 10.7498/aps.62.114208
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2013: Design of an evanescent-coupled GeSi electro-absorption modulator based on Franz-Keldysh effect*, Acta Physica Sinica, null(11): 290-294. doi: 10.7498/aps.62.114208
Citation: 2013: Design of an evanescent-coupled GeSi electro-absorption modulator based on Franz-Keldysh effect*, Acta Physica Sinica, null(11): 290-294. doi: 10.7498/aps.62.114208
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基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计*

  • 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083

Design of an evanescent-coupled GeSi electro-absorption modulator based on Franz-Keldysh effect*

  • 摘要: 本文设计了一种基于Franz-Keldysh (FK)效应的GeSi电吸收调制器.调制器集成了脊形硅单模波导.光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层.在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上,有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.19%,从而使得器件工作在C (1528—1560 nm)波段.模拟结果显示该调制器的3 dB带宽可达64 GHz,消光比为8.8 dB,而插损仅为2.7 dB.
    Abstract: We present a novel GeSi electro-absorption (EA) modulator design on a silicon-on-insulator platform. The GeSi EA modulator is constructed based on the Franz-Keldysh (FK) effect. The light is evanescent-coupled into the GeSi absorption layer from the rib Si waveguide. A contnet of 1.19%Si in SiGe absorption layer is chosen for C (1528—1560 nm) band operation. Simulation shows a high (3 dB) bandwidth of～64 GHz and extinction ratio of 8.8 dB. Especially the insertion loss is as low as 2.7 dB.
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出版历程
  • 刊出日期:  2013-06-15

基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计*

  • 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083

摘要: 本文设计了一种基于Franz-Keldysh (FK)效应的GeSi电吸收调制器.调制器集成了脊形硅单模波导.光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层.在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上,有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.19%,从而使得器件工作在C (1528—1560 nm)波段.模拟结果显示该调制器的3 dB带宽可达64 GHz,消光比为8.8 dB,而插损仅为2.7 dB.

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