高级搜索

界面对ZrN/TaN纳米多层膜固氦性能的影响*

,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

王飞, 刘望, 邓爱红, 朱敬军, 安竹, 汪渊. 2013: 界面对ZrN/TaN纳米多层膜固氦性能的影响*, 物理学报, null(18): 390-395. doi: 10.7498/aps.62.186801
引用本文: 王飞, 刘望, 邓爱红, 朱敬军, 安竹, 汪渊. 2013: 界面对ZrN/TaN纳米多层膜固氦性能的影响*, 物理学报, null(18): 390-395. doi: 10.7498/aps.62.186801
shu
Wang Fei, Liu Wang, Deng Ai-Hong, Zhu Jing-Jun, An Zhu, Wang Yuan. 2013: Interface effects on helium retention properties of ZrN/TaN nano-multilayers, Acta Physica Sinica, null(18): 390-395. doi: 10.7498/aps.62.186801
Citation: Wang Fei, Liu Wang, Deng Ai-Hong, Zhu Jing-Jun, An Zhu, Wang Yuan. 2013: Interface effects on helium retention properties of ZrN/TaN nano-multilayers, Acta Physica Sinica, null(18): 390-395. doi: 10.7498/aps.62.186801
shu

界面对ZrN/TaN纳米多层膜固氦性能的影响*

  • 四川大学原子核科学技术研究所，教育部辐射物理及技术重点实验室，成都 610064

  • 四川大学原子核科学技术研究所，教育部辐射物理及技术重点实验室，成都 610064; 四川大学物理科学与技术学院物理系，成都 610064

Interface effects on helium retention properties of ZrN/TaN nano-multilayers

  • 摘要: 采用射频磁控溅射方法，在混合气氛下制备了ZrN/TaN多层膜.利用X射线衍射、慢正电子束分析、增强质子背散射、扫描电子显微镜，分别对ZrN/TaN多层膜中相结构、氦相关缺陷、氦含量、截面形貌等进行了分析.结果表明，调制周期为30 nm的ZrN/TaN多层膜在600?C退火后，氦的保持率仍能达到45.6%.在适当的调制周期下， ZrN/TaN多层膜能够耐氦损伤并且其界面具有一定的固氦性能.
    Abstract: In this paper, ZrN/TaN nano-multilayers are fabricated in mixing atmosphere by radio frequency magnetron sputtering. The phase structures, He-related defects, helium content and cross-section morphologies of ZrN/TaN nano-multilayers are characterized by X-ray diffraction, slow positron beam analysis, enhanced proton backscattering spectrome and scanning electron microscope, respectively. The results show that the interface of ZrN/TaN nano-multilayer with 30 nm modulation period is stable and could resist the damage of helium even annealed at 600 ?C. The He retention rate of ZrN/TaN nano-multilayer with 30 nm modulation period can reach up to 45.6%.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  585
  • HTML全文浏览数:  293
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2013-09-30

界面对ZrN/TaN纳米多层膜固氦性能的影响*

  • 四川大学原子核科学技术研究所，教育部辐射物理及技术重点实验室，成都 610064
  • 四川大学原子核科学技术研究所，教育部辐射物理及技术重点实验室，成都 610064; 四川大学物理科学与技术学院物理系，成都 610064

摘要: 采用射频磁控溅射方法，在混合气氛下制备了ZrN/TaN多层膜.利用X射线衍射、慢正电子束分析、增强质子背散射、扫描电子显微镜，分别对ZrN/TaN多层膜中相结构、氦相关缺陷、氦含量、截面形貌等进行了分析.结果表明，调制周期为30 nm的ZrN/TaN多层膜在600?C退火后，氦的保持率仍能达到45.6%.在适当的调制周期下， ZrN/TaN多层膜能够耐氦损伤并且其界面具有一定的固氦性能.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回