沉淀剂对ZnO压敏陶瓷缺陷结构和电气性能的影响

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王辉, 蔺家骏, 何锦强, 廖永力, 李盛涛. 2013: 沉淀剂对ZnO压敏陶瓷缺陷结构和电气性能的影响, 物理学报, null(22): 226103. doi: 10.7498/aps.62.226103
引用本文: 王辉, 蔺家骏, 何锦强, 廖永力, 李盛涛. 2013: 沉淀剂对ZnO压敏陶瓷缺陷结构和电气性能的影响, 物理学报, null(22): 226103. doi: 10.7498/aps.62.226103
Wang Hui, Lin Jia-Jun, He Jin-Qiang, Liao Yong-Li, Li Sheng-Tao. 2013: The effects of precipitant on the defect structures and properties of ZnO varistor ceramics, Acta Physica Sinica, null(22): 226103. doi: 10.7498/aps.62.226103
Citation: Wang Hui, Lin Jia-Jun, He Jin-Qiang, Liao Yong-Li, Li Sheng-Tao. 2013: The effects of precipitant on the defect structures and properties of ZnO varistor ceramics, Acta Physica Sinica, null(22): 226103. doi: 10.7498/aps.62.226103

沉淀剂对ZnO压敏陶瓷缺陷结构和电气性能的影响

The effects of precipitant on the defect structures and properties of ZnO varistor ceramics

  • 摘要: 研究了不同沉淀剂(NH4HCO3和NaOH)对共沉淀法制备的ZnO压敏陶瓷性能的影响。结果表明:不同的沉淀剂对ZnO压敏陶瓷的微观结构及电气性能有明显的影响。其中陶瓷微观结构的变化主要由沉淀剂本身的性质引起;而电气性能的改变除了与微观结构相关外,主要受不同沉淀剂对陶瓷晶界势垒参数的影响;此外,沉淀剂NaOH引入的Na+作为施主杂质离子掺杂ZnO压敏陶瓷,增加晶粒中的自由电子浓度,因此本征缺陷(锌填隙和氧空位)浓度受到抑制,而锌填隙浓度相对于氧空位而言对施主离子掺杂更为敏感。由此,采用共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷粉体时,沉淀剂种类的选择很重要,即使微量的杂质也会引起压敏陶瓷性能的较大改变,应尽可能避免杂质离子的引入。
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出版历程
  • 刊出日期:  2013-11-30

沉淀剂对ZnO压敏陶瓷缺陷结构和电气性能的影响

  • 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049
  • 南方电网科学研究院有限责任公司,广州,510080

摘要: 研究了不同沉淀剂(NH4HCO3和NaOH)对共沉淀法制备的ZnO压敏陶瓷性能的影响。结果表明:不同的沉淀剂对ZnO压敏陶瓷的微观结构及电气性能有明显的影响。其中陶瓷微观结构的变化主要由沉淀剂本身的性质引起;而电气性能的改变除了与微观结构相关外,主要受不同沉淀剂对陶瓷晶界势垒参数的影响;此外,沉淀剂NaOH引入的Na+作为施主杂质离子掺杂ZnO压敏陶瓷,增加晶粒中的自由电子浓度,因此本征缺陷(锌填隙和氧空位)浓度受到抑制,而锌填隙浓度相对于氧空位而言对施主离子掺杂更为敏感。由此,采用共沉淀法制备ZnO压敏陶瓷粉体时,沉淀剂种类的选择很重要,即使微量的杂质也会引起压敏陶瓷性能的较大改变,应尽可能避免杂质离子的引入。

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