铈离子掺杂浓度对氯化镧(LaCl3:Ce)闪烁晶体发光性能的影响

上一篇

下一篇

任国浩, 裴钰, 吴云涛, 陈晓峰, 李焕英, 潘尚可. 2014: 铈离子掺杂浓度对氯化镧(LaCl3:Ce)闪烁晶体发光性能的影响, 物理学报, null(3): 037802. doi: 10.7498/aps.63.037802
引用本文: 任国浩, 裴钰, 吴云涛, 陈晓峰, 李焕英, 潘尚可. 2014: 铈离子掺杂浓度对氯化镧(LaCl3:Ce)闪烁晶体发光性能的影响, 物理学报, null(3): 037802. doi: 10.7498/aps.63.037802
Ren Guo-Hao, Pei Yu, Wu Yun-Tao, Chen Xiao-Feng, Li Huan-Ying, Pan Shang-Ke. 2014: Influence of Ce doping concentration on the luminescence prop erties of LaCl3:Ce scintillation crystals, Acta Physica Sinica, null(3): 037802. doi: 10.7498/aps.63.037802
Citation: Ren Guo-Hao, Pei Yu, Wu Yun-Tao, Chen Xiao-Feng, Li Huan-Ying, Pan Shang-Ke. 2014: Influence of Ce doping concentration on the luminescence prop erties of LaCl3:Ce scintillation crystals, Acta Physica Sinica, null(3): 037802. doi: 10.7498/aps.63.037802

铈离子掺杂浓度对氯化镧(LaCl3:Ce)闪烁晶体发光性能的影响

Influence of Ce doping concentration on the luminescence prop erties of LaCl3:Ce scintillation crystals

  • 摘要: 本文采用垂直Bridgman法,分别生长了未掺杂LaCl3和掺有不同浓度CeCl3的LaCl3闪烁晶体,并对它们的透光性质、发光性质和光衰减特性进行了测试和对比分析.发现未掺杂LaCl3晶体的吸收边位于215 nm附近,本征发射峰为405 nm,衰减时间在1μs以上.该发光属于纯氯化镧晶体的自陷激子发射,但随着CeCl3掺杂浓度的提高,源于自陷激子(STE)的本征发射强度逐渐降低, LaCl3:Ce 晶体中的吸收边逐渐红移至300 nm,由Ce3+中心所产生的5d→4f发射逐渐增强,其衰减时间加快至~20 ns.这种现象被解释为LaCl3晶格中的自陷激子向Ce3+离子发光中心的能量传递作用所致。
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  363
  • HTML全文浏览数:  52
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2014-02-15

铈离子掺杂浓度对氯化镧(LaCl3:Ce)闪烁晶体发光性能的影响

  • 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800
  • 国巨电子 中国有限公司,苏州,215000

摘要: 本文采用垂直Bridgman法,分别生长了未掺杂LaCl3和掺有不同浓度CeCl3的LaCl3闪烁晶体,并对它们的透光性质、发光性质和光衰减特性进行了测试和对比分析.发现未掺杂LaCl3晶体的吸收边位于215 nm附近,本征发射峰为405 nm,衰减时间在1μs以上.该发光属于纯氯化镧晶体的自陷激子发射,但随着CeCl3掺杂浓度的提高,源于自陷激子(STE)的本征发射强度逐渐降低, LaCl3:Ce 晶体中的吸收边逐渐红移至300 nm,由Ce3+中心所产生的5d→4f发射逐渐增强,其衰减时间加快至~20 ns.这种现象被解释为LaCl3晶格中的自陷激子向Ce3+离子发光中心的能量传递作用所致。

English Abstract

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回