在半导体-金属相变温度附近氧化钒薄膜光学性质的异常变动?

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杨伟, 梁继然, 刘剑, 姬扬. 2014: 在半导体-金属相变温度附近氧化钒薄膜光学性质的异常变动?, 物理学报, null(10): 107104. doi: 10.7498/aps.63.107104
引用本文: 杨伟, 梁继然, 刘剑, 姬扬. 2014: 在半导体-金属相变温度附近氧化钒薄膜光学性质的异常变动?, 物理学报, null(10): 107104. doi: 10.7498/aps.63.107104
Yang Wei, Liang Ji-Ran, Liu Jian, Ji Yang. 2014: Abnormal variation of optical prop erties of vanadium oxide thin film at semiconductor-metal transition, Acta Physica Sinica, null(10): 107104. doi: 10.7498/aps.63.107104
Citation: Yang Wei, Liang Ji-Ran, Liu Jian, Ji Yang. 2014: Abnormal variation of optical prop erties of vanadium oxide thin film at semiconductor-metal transition, Acta Physica Sinica, null(10): 107104. doi: 10.7498/aps.63.107104

在半导体-金属相变温度附近氧化钒薄膜光学性质的异常变动?

Abnormal variation of optical prop erties of vanadium oxide thin film at semiconductor-metal transition

  • 摘要: 在可见光—近红外波段的不同波长下,测量了半导体-金属相变过程中氧化钒薄膜样品的反射率和透射率。在薄膜相变过程中,不同波段的反射率曲线和透射率曲线表现出不同的变化趋势。利用非相干光在薄膜中的多级反射-透射模型,计算了相变过程中不同波长下氧化钒薄膜的折射率n和消光系数k随温度的变化。结果表明,在相变温度附近氧化钒薄膜光学性质的异常变动,其原因既有薄膜的折射率和消光系数随波长的变化趋势不同,也有在吸收性薄膜中存在探测光多次反射和透射的累加效应。
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出版历程
  • 刊出日期:  2014-05-30

在半导体-金属相变温度附近氧化钒薄膜光学性质的异常变动?

  • 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
  • 天津大学电子信息工程学院,天津,300072

摘要: 在可见光—近红外波段的不同波长下,测量了半导体-金属相变过程中氧化钒薄膜样品的反射率和透射率。在薄膜相变过程中,不同波段的反射率曲线和透射率曲线表现出不同的变化趋势。利用非相干光在薄膜中的多级反射-透射模型,计算了相变过程中不同波长下氧化钒薄膜的折射率n和消光系数k随温度的变化。结果表明,在相变温度附近氧化钒薄膜光学性质的异常变动,其原因既有薄膜的折射率和消光系数随波长的变化趋势不同,也有在吸收性薄膜中存在探测光多次反射和透射的累加效应。

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