门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质

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安兴涛, 刁淑萌. 2014: 门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质, 物理学报, null(18): 187304. doi: 10.7498/aps.63.187304
引用本文: 安兴涛, 刁淑萌. 2014: 门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质, 物理学报, null(18): 187304. doi: 10.7498/aps.63.187304
An Xing-Tao, Diao Shu-Meng. 2014: Transp ort prop erties in a gate controlled silicene quantum wire, Acta Physica Sinica, null(18): 187304. doi: 10.7498/aps.63.187304
Citation: An Xing-Tao, Diao Shu-Meng. 2014: Transp ort prop erties in a gate controlled silicene quantum wire, Acta Physica Sinica, null(18): 187304. doi: 10.7498/aps.63.187304

门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质

Transp ort prop erties in a gate controlled silicene quantum wire

  • 摘要: 硅烯是由单层硅原子形成的二维蜂窝状晶格结构,具有石墨烯类似的电学性质,由于硅烯中存在比较强的自旋轨道耦合而备受关注。本文利用非平衡格林函数方法研究了门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质和能带结构。研究发现,只有在较强的门电压下,而且硅烯量子线具有较好的锯齿形或扶手椅形边界而不存在额外硅原子时,硅烯量子线中才存在无能隙的自旋极化边缘态。另外,计算结果表明这种门电压控制的硅烯量子线中边缘态在每个能谷处自旋是极化的。这些计算结果将为实验上利用电场制作硅烯纳米结构提供理论支持。
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出版历程
  • 刊出日期:  2014-09-30

门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质

  • 河北科技大学理学院,石家庄,050018

摘要: 硅烯是由单层硅原子形成的二维蜂窝状晶格结构,具有石墨烯类似的电学性质,由于硅烯中存在比较强的自旋轨道耦合而备受关注。本文利用非平衡格林函数方法研究了门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质和能带结构。研究发现,只有在较强的门电压下,而且硅烯量子线具有较好的锯齿形或扶手椅形边界而不存在额外硅原子时,硅烯量子线中才存在无能隙的自旋极化边缘态。另外,计算结果表明这种门电压控制的硅烯量子线中边缘态在每个能谷处自旋是极化的。这些计算结果将为实验上利用电场制作硅烯纳米结构提供理论支持。

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