VO2/AZO复合薄膜的制备及其光电特性研究

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袁文瑞, 李毅, 王晓华, 郑鸿柱, 陈少娟, 陈建坤, 孙瑶, 唐佳茵, 刘飞, 郝如龙, 方宝英, 肖寒. 2014: VO2/AZO复合薄膜的制备及其光电特性研究, 物理学报, null(21): 387-394. doi: 10.7498/aps.63.218101
引用本文: 袁文瑞, 李毅, 王晓华, 郑鸿柱, 陈少娟, 陈建坤, 孙瑶, 唐佳茵, 刘飞, 郝如龙, 方宝英, 肖寒. 2014: VO2/AZO复合薄膜的制备及其光电特性研究, 物理学报, null(21): 387-394. doi: 10.7498/aps.63.218101
Yuan Wen-Rui, Li Yi, Wang Xiao-Hua, Zheng Hong-Zhu, Chen Shao-Juan, Chen Jian-Kun, Sun Yao, Tang Jia-Yin, Liu Fei, Hao Ru-Long, Fang Bao-Ying, Xiao Han. 2014: Fabrication and optical-electrical prop erties of VO2/AZO comp osite films, Acta Physica Sinica, null(21): 387-394. doi: 10.7498/aps.63.218101
Citation: Yuan Wen-Rui, Li Yi, Wang Xiao-Hua, Zheng Hong-Zhu, Chen Shao-Juan, Chen Jian-Kun, Sun Yao, Tang Jia-Yin, Liu Fei, Hao Ru-Long, Fang Bao-Ying, Xiao Han. 2014: Fabrication and optical-electrical prop erties of VO2/AZO comp osite films, Acta Physica Sinica, null(21): 387-394. doi: 10.7498/aps.63.218101

VO2/AZO复合薄膜的制备及其光电特性研究

Fabrication and optical-electrical prop erties of VO2/AZO comp osite films

  • 摘要: 采用直流磁控溅射和后退火氧化的方法在掺铝氧化锌(AZO)导电玻璃上制备了二氧化钒(VO2)薄膜,研究了不同的退火温度、退火时间对VO2/AZO复合薄膜制备的影响,并对复合薄膜的结构、组分、光电特性进行了测试与分析。结果表明,导电玻璃上的AZO没有改变VO2的取向生长,但明显改变了VO2薄膜的表面形貌特征。与用相同工艺和条件在普通玻璃基底上制备的VO2薄膜相比, VO2/AZO复合薄膜的相变温度降低约25?C,热滞回线宽度收窄至6?C,相变前后可见光透过率均在50%以上,1500 nm处红外透过率约为55%和21%,电阻率变化达3个数量级。该复合薄膜表面平滑致密,制备工艺简单,性能稳定,可应用于新型光电器件。
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出版历程
  • 刊出日期:  2014-11-15

VO2/AZO复合薄膜的制备及其光电特性研究

  • 上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海,200093
  • 上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海 200093; 上海市现代光学系统重点实验室,上海 200093
  • 上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海 200093; 上海电力学院计算机与信息工程学院,上海 200090

摘要: 采用直流磁控溅射和后退火氧化的方法在掺铝氧化锌(AZO)导电玻璃上制备了二氧化钒(VO2)薄膜,研究了不同的退火温度、退火时间对VO2/AZO复合薄膜制备的影响,并对复合薄膜的结构、组分、光电特性进行了测试与分析。结果表明,导电玻璃上的AZO没有改变VO2的取向生长,但明显改变了VO2薄膜的表面形貌特征。与用相同工艺和条件在普通玻璃基底上制备的VO2薄膜相比, VO2/AZO复合薄膜的相变温度降低约25?C,热滞回线宽度收窄至6?C,相变前后可见光透过率均在50%以上,1500 nm处红外透过率约为55%和21%,电阻率变化达3个数量级。该复合薄膜表面平滑致密,制备工艺简单,性能稳定,可应用于新型光电器件。

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