高级搜索

基于微芯片的透射电子显微镜的低温纳米精度电子束刻蚀与原位电学输运性质测量?

,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

张超, 方粮, 隋兵才, 徐强, 王慧. 2014: 基于微芯片的透射电子显微镜的低温纳米精度电子束刻蚀与原位电学输运性质测量?, 物理学报, null(24): 248105. doi: 10.7498/aps.63.248105
引用本文: 张超, 方粮, 隋兵才, 徐强, 王慧. 2014: 基于微芯片的透射电子显微镜的低温纳米精度电子束刻蚀与原位电学输运性质测量?, 物理学报, null(24): 248105. doi: 10.7498/aps.63.248105
shu
Zhang Chao, Fang Liang, Sui Bing-Cai, Xu Qiang, Wang Hui. 2014: Nano-scale lithography and in-situ electrical measurements based on the micro-chips in a transmission electron microscop e, Acta Physica Sinica, null(24): 248105. doi: 10.7498/aps.63.248105
Citation: Zhang Chao, Fang Liang, Sui Bing-Cai, Xu Qiang, Wang Hui. 2014: Nano-scale lithography and in-situ electrical measurements based on the micro-chips in a transmission electron microscop e, Acta Physica Sinica, null(24): 248105. doi: 10.7498/aps.63.248105
shu

基于微芯片的透射电子显微镜的低温纳米精度电子束刻蚀与原位电学输运性质测量?

  • 国防科技大学，高性能计算国家重点实验室，长沙 410073; 国防科技大学计算机学院，长沙 410073; Delft University of Technology，Kavli Institute of Nanoscience，2628 CJ，Delft，The Netherlands

  • 国防科技大学，高性能计算国家重点实验室，长沙 410073; 国防科技大学计算机学院，长沙 410073

  • 国防科技大学，高性能计算国家重点实验室，长沙 410073

  • Delft University of Technology，Kavli Institute of Nanoscience，2628 CJ，Delft，The Netherlands

  • 北京航空航天大学材料科学与工程学院，空天先进材料与服役教育部重点实验室，北京 100191

Nano-scale lithography and in-situ electrical measurements based on the micro-chips in a transmission electron microscop e

  • 摘要: 利用微芯片制备技术制备了带有电极的原位电学薄膜芯片，并结合自制的原位透射电镜样品台，实现了低温下透射电子显微镜聚焦电子束对InAs纳米线的精细刻蚀以及不同温度下的原位电学性能测量。研究发现，随着刻蚀区域截面积的减小，纳米线的电导率也随之减小。当纳米线的截面积从大于10000 nm2刻蚀至约800 nm2时，纳米线电导的减小速率与截面积的减小具有线性关系。同时利用低温聚焦电子束刻蚀，在InAs纳米线上原位制备了一个10 nm的纳米点，并在77与300 K下对该纳米点进行了电学性能测量。通过测量发现在77 K时出现库仑阻塞效应，发生了电子隧穿现象；而300 K时，热扰动提供的能量使这种现象消失。
    Abstract: In this paper, the in-situ membrane chips with the electrodes are fabricated with the micro-chip technique. Using a home-made in-situ holder, the fine lithography on the InAs nanowires is demonstrated by the focused electron beam at low temperature in a transmission electron microscope. It is found that the conductance of the nanowires decreases linearly with the cross section area decreasing from bigger than 10000 nm2 down to 800 nm2 by lithography. With this lithography at low temperature, a 10 nm nano-dot is fabricated on an InAs nanowire, and its electrical properties are measured at 77 and 300 K. The coulomb blockade effect is observed at 77 K due to the electron tunneling, while this phenomenon disappears at 300 K due to the stronger thermal fluctuation.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  304
  • HTML全文浏览数:  69
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2014-12-30

基于微芯片的透射电子显微镜的低温纳米精度电子束刻蚀与原位电学输运性质测量?

  • 国防科技大学，高性能计算国家重点实验室，长沙 410073; 国防科技大学计算机学院，长沙 410073; Delft University of Technology，Kavli Institute of Nanoscience，2628 CJ，Delft，The Netherlands
  • 国防科技大学，高性能计算国家重点实验室，长沙 410073; 国防科技大学计算机学院，长沙 410073
  • 国防科技大学，高性能计算国家重点实验室，长沙 410073
  • Delft University of Technology，Kavli Institute of Nanoscience，2628 CJ，Delft，The Netherlands
  • 北京航空航天大学材料科学与工程学院，空天先进材料与服役教育部重点实验室，北京 100191

摘要: 利用微芯片制备技术制备了带有电极的原位电学薄膜芯片，并结合自制的原位透射电镜样品台，实现了低温下透射电子显微镜聚焦电子束对InAs纳米线的精细刻蚀以及不同温度下的原位电学性能测量。研究发现，随着刻蚀区域截面积的减小，纳米线的电导率也随之减小。当纳米线的截面积从大于10000 nm2刻蚀至约800 nm2时，纳米线电导的减小速率与截面积的减小具有线性关系。同时利用低温聚焦电子束刻蚀，在InAs纳米线上原位制备了一个10 nm的纳米点，并在77与300 K下对该纳米点进行了电学性能测量。通过测量发现在77 K时出现库仑阻塞效应，发生了电子隧穿现象；而300 K时，热扰动提供的能量使这种现象消失。

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回