拓扑绝缘体的普适电导涨落?

上一篇

下一篇

李兆国, 张帅, 宋凤麒. 2015: 拓扑绝缘体的普适电导涨落?, 物理学报, null(9): 097202. doi: 10.7498/aps.64.097202
引用本文: 李兆国, 张帅, 宋凤麒. 2015: 拓扑绝缘体的普适电导涨落?, 物理学报, null(9): 097202. doi: 10.7498/aps.64.097202
Li Zhao-Guo, Zhang Shuai, Song Feng-Qi. 2015: Universal conductance fluctuations of top ological insulators, Acta Physica Sinica, null(9): 097202. doi: 10.7498/aps.64.097202
Citation: Li Zhao-Guo, Zhang Shuai, Song Feng-Qi. 2015: Universal conductance fluctuations of top ological insulators, Acta Physica Sinica, null(9): 097202. doi: 10.7498/aps.64.097202

拓扑绝缘体的普适电导涨落?

Universal conductance fluctuations of top ological insulators

  • 摘要: 拓扑绝缘体因其无能量耗散的拓扑表面输运而备受关注,揭示拓扑表面态因其π的贝利相位而产生的拓扑输运现象,将有助于拓扑绝缘体相关器件的应用开发。本文回顾了普适电导涨落(UCF)揭示拓扑绝缘体奇异输运性质的研究进展。通过调控温度、角度、门电压、垂直磁场和平行磁场等外部参量,实现了对拓扑绝缘体的UCF效应的系统研究,证实了拓扑绝缘体中二维UCF的输运现象,并通过尺寸标度规律获得了UCF的拓扑起源的实验证据,讨论了拓扑表面态的UCF的统计对称规律。从而实现了对拓扑绝缘体UCF效应的较为完整的理解。
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  483
  • HTML全文浏览数:  233
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2015-05-15

拓扑绝缘体的普适电导涨落?

  • 南京大学物理学院,固体微结构物理国家重点实验室,人工微结构科学与技术协同创新中心,南京 210093

摘要: 拓扑绝缘体因其无能量耗散的拓扑表面输运而备受关注,揭示拓扑表面态因其π的贝利相位而产生的拓扑输运现象,将有助于拓扑绝缘体相关器件的应用开发。本文回顾了普适电导涨落(UCF)揭示拓扑绝缘体奇异输运性质的研究进展。通过调控温度、角度、门电压、垂直磁场和平行磁场等外部参量,实现了对拓扑绝缘体的UCF效应的系统研究,证实了拓扑绝缘体中二维UCF的输运现象,并通过尺寸标度规律获得了UCF的拓扑起源的实验证据,讨论了拓扑表面态的UCF的统计对称规律。从而实现了对拓扑绝缘体UCF效应的较为完整的理解。

English Abstract

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回