氘化对KH2PO4晶体微观缺陷影响的正电子湮没研究?

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张丽娟, 张传超, 廖威, 刘建党, 谷冰川, 袁晓东, 叶邦角. 2015: 氘化对KH2PO4晶体微观缺陷影响的正电子湮没研究?, 物理学报, null(9): 097802. doi: 10.7498/aps.64.097802
引用本文: 张丽娟, 张传超, 廖威, 刘建党, 谷冰川, 袁晓东, 叶邦角. 2015: 氘化对KH2PO4晶体微观缺陷影响的正电子湮没研究?, 物理学报, null(9): 097802. doi: 10.7498/aps.64.097802
Zhang Li-Juan, Zhang Chuan-Chao, Liao Wei, Liu Jian-Dang, Gu Bing-Chuan, Yuan Xiao-Dong, Ye Bang-Jiao. 2015: Influence of deuteration on the KH2PO4 crystal micro-defects characterization by using p ositron annihilation sp ectroscopy, Acta Physica Sinica, null(9): 097802. doi: 10.7498/aps.64.097802
Citation: Zhang Li-Juan, Zhang Chuan-Chao, Liao Wei, Liu Jian-Dang, Gu Bing-Chuan, Yuan Xiao-Dong, Ye Bang-Jiao. 2015: Influence of deuteration on the KH2PO4 crystal micro-defects characterization by using p ositron annihilation sp ectroscopy, Acta Physica Sinica, null(9): 097802. doi: 10.7498/aps.64.097802

氘化对KH2PO4晶体微观缺陷影响的正电子湮没研究?

Influence of deuteration on the KH2PO4 crystal micro-defects characterization by using p ositron annihilation sp ectroscopy

  • 摘要: 采用传统降温法从不同程度氘化(x=0,0.51,0.85)的生长溶液中生长氘化KH2PO4(KDP)晶体,利用正电子湮没技术(正电子寿命谱和多普勒展宽谱)、结合X射线衍射谱(XRD)结构分析,对KDP晶体氘化生长的微观缺陷进行了研究,讨论了氘化程度对晶体内部微观结构特性、缺陷类型和浓度的影响. XRD结果显示晶胞参数a, b值随氘含量的增加而增加, c值无明显变化;正电子寿命谱结果发现随着氘化浓度的提高, KDP晶体内部中性填隙缺陷以及氧缺陷不断增加,引起晶体晶格畸变;氢空位、K空位、杂质替位缺陷不断发生缔合反应形成复合缺陷,缺陷浓度不断减少;团簇、微空洞等大尺寸缺陷也在不断发生聚合反应,缺陷浓度表现为不断减少.多普勒实验结果表明随着氘化程度的提升,晶体内部各类缺陷表现为同步变化.实验结果表明, KDP晶体在低浓度氘化生长(50%以内)下缺陷反应较弱,而在高浓度氘化(50%以上)下的缺陷反应显著增强.
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出版历程
  • 刊出日期:  2015-05-15

氘化对KH2PO4晶体微观缺陷影响的正电子湮没研究?

  • 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳 621900; 中国科学技术大学,核探测器与核电子学国家重点实验室,合肥 230026; 中国科学技术大学近代物理系,合肥 230026
  • 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳,621900
  • 中国科学技术大学,核探测器与核电子学国家重点实验室,合肥 230026; 中国科学技术大学近代物理系,合肥 230026

摘要: 采用传统降温法从不同程度氘化(x=0,0.51,0.85)的生长溶液中生长氘化KH2PO4(KDP)晶体,利用正电子湮没技术(正电子寿命谱和多普勒展宽谱)、结合X射线衍射谱(XRD)结构分析,对KDP晶体氘化生长的微观缺陷进行了研究,讨论了氘化程度对晶体内部微观结构特性、缺陷类型和浓度的影响. XRD结果显示晶胞参数a, b值随氘含量的增加而增加, c值无明显变化;正电子寿命谱结果发现随着氘化浓度的提高, KDP晶体内部中性填隙缺陷以及氧缺陷不断增加,引起晶体晶格畸变;氢空位、K空位、杂质替位缺陷不断发生缔合反应形成复合缺陷,缺陷浓度不断减少;团簇、微空洞等大尺寸缺陷也在不断发生聚合反应,缺陷浓度表现为不断减少.多普勒实验结果表明随着氘化程度的提升,晶体内部各类缺陷表现为同步变化.实验结果表明, KDP晶体在低浓度氘化生长(50%以内)下缺陷反应较弱,而在高浓度氘化(50%以上)下的缺陷反应显著增强.

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