横磁模下介质表面二次电子倍增的抑制?

上一篇

下一篇

李爽, 常超, 王建国, 刘彦升, 朱梦, 郭乐田, 谢佳玲. 2015: 横磁模下介质表面二次电子倍增的抑制?, 物理学报, null(13): 137701. doi: 10.7498/aps.64.137701
引用本文: 李爽, 常超, 王建国, 刘彦升, 朱梦, 郭乐田, 谢佳玲. 2015: 横磁模下介质表面二次电子倍增的抑制?, 物理学报, null(13): 137701. doi: 10.7498/aps.64.137701
Li Shuang, Chang Chao, Wang Jian-Guo, Liu Yan-Sheng, Zhu Meng, Guo Le-Tian, Xie Jia-Ling. 2015: Suppression of secondary electron multipactor on dielectric surface in TM mo de, Acta Physica Sinica, null(13): 137701. doi: 10.7498/aps.64.137701
Citation: Li Shuang, Chang Chao, Wang Jian-Guo, Liu Yan-Sheng, Zhu Meng, Guo Le-Tian, Xie Jia-Ling. 2015: Suppression of secondary electron multipactor on dielectric surface in TM mo de, Acta Physica Sinica, null(13): 137701. doi: 10.7498/aps.64.137701

横磁模下介质表面二次电子倍增的抑制?

Suppression of secondary electron multipactor on dielectric surface in TM mo de

  • 摘要: 在介质加载加速器结构(DLA)内,提出采用刻槽结构结合外加磁场的方法用于在电磁场横磁(TM)模式下抑制介质表面的电子倍增。通过理论分析和数值模拟,比较了刻槽结构和纵向磁场对斜面上电子碰撞能量和渡越时间的影响,得到了在介质表面同时存在法向RF电场及切向RF电场时,采用刻槽结构并施加一定的纵向磁场强度,可有效抑制二次电子倍增的发展,提高介质面的击穿阈值。
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  314
  • HTML全文浏览数:  71
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2015-07-15

横磁模下介质表面二次电子倍增的抑制?

  • 西北核技术研究所高功率微波重点实验室,西安 710024; 西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049
  • 西北核技术研究所高功率微波重点实验室,西安 710024; 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,西安 710049
  • 西北核技术研究所高功率微波重点实验室,西安,710024

摘要: 在介质加载加速器结构(DLA)内,提出采用刻槽结构结合外加磁场的方法用于在电磁场横磁(TM)模式下抑制介质表面的电子倍增。通过理论分析和数值模拟,比较了刻槽结构和纵向磁场对斜面上电子碰撞能量和渡越时间的影响,得到了在介质表面同时存在法向RF电场及切向RF电场时,采用刻槽结构并施加一定的纵向磁场强度,可有效抑制二次电子倍增的发展,提高介质面的击穿阈值。

English Abstract

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回