H,He对Ti3SiC2材料力学性能影响的第一性原理研究

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姚宝殿, 胡桂青, 于治水, 张慧芬, 施立群, 沈皓, 王月霞. 2016: H,He对Ti3SiC2材料力学性能影响的第一性原理研究, 物理学报, 65(2): 275-280. doi: 10.7498/aps.65.026202
引用本文: 姚宝殿, 胡桂青, 于治水, 张慧芬, 施立群, 沈皓, 王月霞. 2016: H,He对Ti3SiC2材料力学性能影响的第一性原理研究, 物理学报, 65(2): 275-280. doi: 10.7498/aps.65.026202
Yao Bao-Dian, Hu Gui-Qing, Yu Zhi-Shui, Zhang Hui-Fen, Shi Li-Qun, Shen Hao, Wang Yue-Xia. 2016: Effect of H and He on the mechanical properties of Ti3SiC2: the first-principles calculation, Acta Physica Sinica, 65(2): 275-280. doi: 10.7498/aps.65.026202
Citation: Yao Bao-Dian, Hu Gui-Qing, Yu Zhi-Shui, Zhang Hui-Fen, Shi Li-Qun, Shen Hao, Wang Yue-Xia. 2016: Effect of H and He on the mechanical properties of Ti3SiC2: the first-principles calculation, Acta Physica Sinica, 65(2): 275-280. doi: 10.7498/aps.65.026202

H,He对Ti3SiC2材料力学性能影响的第一性原理研究

Effect of H and He on the mechanical properties of Ti3SiC2: the first-principles calculation

  • 摘要: 层状三元化合物Ti3SiC2兼具陶瓷与金属的优良性能而得到诸多研究领域的关注.本工作采用第一性原理密度泛函理论研究了氢、氦对该材料解理断裂行为的影响,以期探讨Ti3SiC2作为核应用材料的可行性.结果表明Si-Ti相对较弱的化学键使之相应的原子层间成为解理断裂面.氢与氦都易在此原子层间聚集.氦的聚集严重降低材料的解理断裂临界应力促使材料的断裂,而氢则对该临界应力影响不大.两者的差异源于这两类原子与材料中晶体原子相异的电子杂化行为.
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出版历程
  • 刊出日期:  2016-01-30

H,He对Ti3SiC2材料力学性能影响的第一性原理研究

  • 上海工程技术大学材料工程学院,上海,201620
  • 复旦大学现代物理研究所,上海,200433

摘要: 层状三元化合物Ti3SiC2兼具陶瓷与金属的优良性能而得到诸多研究领域的关注.本工作采用第一性原理密度泛函理论研究了氢、氦对该材料解理断裂行为的影响,以期探讨Ti3SiC2作为核应用材料的可行性.结果表明Si-Ti相对较弱的化学键使之相应的原子层间成为解理断裂面.氢与氦都易在此原子层间聚集.氦的聚集严重降低材料的解理断裂临界应力促使材料的断裂,而氢则对该临界应力影响不大.两者的差异源于这两类原子与材料中晶体原子相异的电子杂化行为.

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