缺陷态对Y掺杂BaZrO3的质子导电性的影响?

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杨义斌, 龚宇, 刘才林, 罗阳明, 陈平. 2016: 缺陷态对Y掺杂BaZrO3的质子导电性的影响?, 物理学报, 65(6): 276-282. doi: 10.7498/aps.65.066701
引用本文: 杨义斌, 龚宇, 刘才林, 罗阳明, 陈平. 2016: 缺陷态对Y掺杂BaZrO3的质子导电性的影响?, 物理学报, 65(6): 276-282. doi: 10.7498/aps.65.066701
Yang Yi-Bin, Gong Yu, Liu Cai-Lin, Luo Yang-Ming, Chen Ping. 2016: Influence of defect states on proton conductivity of Y-doped BaZrO3, Acta Physica Sinica, 65(6): 276-282. doi: 10.7498/aps.65.066701
Citation: Yang Yi-Bin, Gong Yu, Liu Cai-Lin, Luo Yang-Ming, Chen Ping. 2016: Influence of defect states on proton conductivity of Y-doped BaZrO3, Acta Physica Sinica, 65(6): 276-282. doi: 10.7498/aps.65.066701

缺陷态对Y掺杂BaZrO3的质子导电性的影响?

Influence of defect states on proton conductivity of Y-doped BaZrO3

  • 摘要: 核能是一种新型能源,其开发和利用对氢同位素分离和纯化提出了迫切要求. BaZrO3基钙钛矿氧化物是一种有效分离纯化氢同位素的材料,本文采用高温固相法制备了BaZr1?xYxO3?δ(06 x 60.3)系列样品,射线衍射光谱分析表明Y的最大掺杂浓度在0.24-0.26之间.在600?C干燥氢气气氛下,由电化学阻抗谱测试可知,掺20 mol%Y的BaZr1?xYxO3?δ样品电导率可达σ=0.00150 S/m,较BaZrO3基质材料的电导率高接近两个数量级.利用热释光谱和发射光谱研究了系列样品缺陷类型,结果表明BaZrO3基质材料存在两种对质子传导有利的氧空位(VO??);当掺入Y后,除氧空位之外,样品还出现了带负电的质子俘获型缺陷Y′Zr ,且Y′Zr缺陷的数量随着Y掺杂浓度增加而增多;同时出现了缺陷陷阱深度变浅导致对质子俘获能力降低的现象,有利于提高质子导电性.本文通过发射光谱和热释光谱相结合,有效地研究了BaZr1?x Yx O3?δ材料的缺陷类型.
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出版历程
  • 刊出日期:  2016-03-30

缺陷态对Y掺杂BaZrO3的质子导电性的影响?

  • 西南科技大学材料科学与工程学院,绵阳 621010; 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳 621900
  • 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,621900
  • 西南科技大学材料科学与工程学院,绵阳,621010

摘要: 核能是一种新型能源,其开发和利用对氢同位素分离和纯化提出了迫切要求. BaZrO3基钙钛矿氧化物是一种有效分离纯化氢同位素的材料,本文采用高温固相法制备了BaZr1?xYxO3?δ(06 x 60.3)系列样品,射线衍射光谱分析表明Y的最大掺杂浓度在0.24-0.26之间.在600?C干燥氢气气氛下,由电化学阻抗谱测试可知,掺20 mol%Y的BaZr1?xYxO3?δ样品电导率可达σ=0.00150 S/m,较BaZrO3基质材料的电导率高接近两个数量级.利用热释光谱和发射光谱研究了系列样品缺陷类型,结果表明BaZrO3基质材料存在两种对质子传导有利的氧空位(VO??);当掺入Y后,除氧空位之外,样品还出现了带负电的质子俘获型缺陷Y′Zr ,且Y′Zr缺陷的数量随着Y掺杂浓度增加而增多;同时出现了缺陷陷阱深度变浅导致对质子俘获能力降低的现象,有利于提高质子导电性.本文通过发射光谱和热释光谱相结合,有效地研究了BaZr1?x Yx O3?δ材料的缺陷类型.

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