单负材料异质结构中损耗诱导的场局域增强和光学双稳态?

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董丽娟, 薛春华, 孙勇, 邓富胜, 石云龙. 2016: 单负材料异质结构中损耗诱导的场局域增强和光学双稳态?, 物理学报, 65(11): 114207. doi: 10.7498/aps.65.114207
引用本文: 董丽娟, 薛春华, 孙勇, 邓富胜, 石云龙. 2016: 单负材料异质结构中损耗诱导的场局域增强和光学双稳态?, 物理学报, 65(11): 114207. doi: 10.7498/aps.65.114207
Dong Li-Juan, Xue Chun-Hua, Sun Yong, Deng Fu-Sheng, Shi Yun-Long. 2016: Loss-induced lo calized field enhancement and optical bistable state in heterostructure containing single-negative materials, Acta Physica Sinica, 65(11): 114207. doi: 10.7498/aps.65.114207
Citation: Dong Li-Juan, Xue Chun-Hua, Sun Yong, Deng Fu-Sheng, Shi Yun-Long. 2016: Loss-induced lo calized field enhancement and optical bistable state in heterostructure containing single-negative materials, Acta Physica Sinica, 65(11): 114207. doi: 10.7498/aps.65.114207

单负材料异质结构中损耗诱导的场局域增强和光学双稳态?

Loss-induced lo calized field enhancement and optical bistable state in heterostructure containing single-negative materials

  • 摘要: 光学双稳态的阈值取决于非线性材料中的场局域程度,场局域越强,阈值越低。而材料的损耗是影响场局域强弱的重要因素。之前,人们普遍认为,增加损耗会削弱场局域,不利于降低阈值。本文研究了由磁单负材料和电单负材料组成的异质结构中光学双稳态现象,发现随着损耗的增大,其阈值可以呈现先降后升的非单调变化。进一步研究表明,异质结构界面处的电磁场强度随着损耗增大呈现先降后升的非单调变化,即增加损耗也有可能增强场局域。研究结果揭示了场局域程度与材料损耗之间的非单调依赖关系,为设计开发非线性功能器件提供了新的思路。
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出版历程
  • 刊出日期:  2016-06-15

单负材料异质结构中损耗诱导的场局域增强和光学双稳态?

  • 山西大同大学固体物理研究所,大同 037009; 山西大同大学,微结构电磁功能材料省市共建山西省重点实验室,大同 037009; 山西大同大学,新型微结构功能材料山西省高等学校重点实验室,大同 037009
  • 广西科技大学计算机科学与通信工程学院,柳州,545006
  • 同济大学波耳固体物理研究所,上海,200092

摘要: 光学双稳态的阈值取决于非线性材料中的场局域程度,场局域越强,阈值越低。而材料的损耗是影响场局域强弱的重要因素。之前,人们普遍认为,增加损耗会削弱场局域,不利于降低阈值。本文研究了由磁单负材料和电单负材料组成的异质结构中光学双稳态现象,发现随着损耗的增大,其阈值可以呈现先降后升的非单调变化。进一步研究表明,异质结构界面处的电磁场强度随着损耗增大呈现先降后升的非单调变化,即增加损耗也有可能增强场局域。研究结果揭示了场局域程度与材料损耗之间的非单调依赖关系,为设计开发非线性功能器件提供了新的思路。

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