无序效应对1T-TaS2材料中Mott绝缘相的影响

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赵洋洋, 宋筠. 2017: 无序效应对1T-TaS2材料中Mott绝缘相的影响, 物理学报, 66(5): 285-294. doi: 10.7498/aps.66.057101
引用本文: 赵洋洋, 宋筠. 2017: 无序效应对1T-TaS2材料中Mott绝缘相的影响, 物理学报, 66(5): 285-294. doi: 10.7498/aps.66.057101
Zhao Yang-Yang, Song Yun. 2017: Anderson localization effect on Mott phase in 1T-TaS2, Acta Physica Sinica, 66(5): 285-294. doi: 10.7498/aps.66.057101
Citation: Zhao Yang-Yang, Song Yun. 2017: Anderson localization effect on Mott phase in 1T-TaS2, Acta Physica Sinica, 66(5): 285-294. doi: 10.7498/aps.66.057101

无序效应对1T-TaS2材料中Mott绝缘相的影响

Anderson localization effect on Mott phase in 1T-TaS2

  • 摘要: 电子强关联效应使得过渡金属硫化物1T-TaS2在低温时为Mott绝缘体,而层间堆叠错位及杂质又会引入相当强的无序效应.利用统计动力学平均场理论数值方法研究了无序效应对Mott绝缘相的影响,发现非对角跃迁无序和对角无序效应均不会引起从绝缘体到金属的相变.杂质引入的对角无序达到一定强度后Mott能隙会完全闭合,而堆叠错位引入的非对角跃迁无序不论多强都无法关闭Mott能隙.在半满情况,非对角无序会导致上下Hubard带对称地分别出现一个奇异态,而通过晶格尺寸标度研究证明了这种反常的电子态仍然是Anderson局域态.
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出版历程
  • 刊出日期:  2017-03-15

无序效应对1T-TaS2材料中Mott绝缘相的影响

  • 北京师范大学物理学系,北京,100875

摘要: 电子强关联效应使得过渡金属硫化物1T-TaS2在低温时为Mott绝缘体,而层间堆叠错位及杂质又会引入相当强的无序效应.利用统计动力学平均场理论数值方法研究了无序效应对Mott绝缘相的影响,发现非对角跃迁无序和对角无序效应均不会引起从绝缘体到金属的相变.杂质引入的对角无序达到一定强度后Mott能隙会完全闭合,而堆叠错位引入的非对角跃迁无序不论多强都无法关闭Mott能隙.在半满情况,非对角无序会导致上下Hubard带对称地分别出现一个奇异态,而通过晶格尺寸标度研究证明了这种反常的电子态仍然是Anderson局域态.

English Abstract

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