Gd掺杂对无氟金属有机物沉积法制备Y1-xGdxBCO薄膜的应力调控

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陈桢妮, 刘胜利, 王海云, 程杰. 2017: Gd掺杂对无氟金属有机物沉积法制备Y1-xGdxBCO薄膜的应力调控, 物理学报, 66(15): 227-234. doi: 10.7498/aps.66.156101
引用本文: 陈桢妮, 刘胜利, 王海云, 程杰. 2017: Gd掺杂对无氟金属有机物沉积法制备Y1-xGdxBCO薄膜的应力调控, 物理学报, 66(15): 227-234. doi: 10.7498/aps.66.156101
Chen Zhen-Ni, Liu Sheng-Li, Wang Hai-Yun, Cheng Jie. 2017: Stress mechanism of Y1-xGdxBCO thin film with Gd substitution prepared by F-free metal organic deposition method?, Acta Physica Sinica, 66(15): 227-234. doi: 10.7498/aps.66.156101
Citation: Chen Zhen-Ni, Liu Sheng-Li, Wang Hai-Yun, Cheng Jie. 2017: Stress mechanism of Y1-xGdxBCO thin film with Gd substitution prepared by F-free metal organic deposition method?, Acta Physica Sinica, 66(15): 227-234. doi: 10.7498/aps.66.156101

Gd掺杂对无氟金属有机物沉积法制备Y1-xGdxBCO薄膜的应力调控

Stress mechanism of Y1-xGdxBCO thin film with Gd substitution prepared by F-free metal organic deposition method?

  • 摘要: 为了揭示Gd掺杂对克服YBa2 Cu3 O7-δ(YBCO)薄膜厚度效应的机制,采用无氟金属有机物沉积法在铝酸镧基底上沉积制备了一系列不同掺杂比例的Y1-xGdxBCO薄膜,并且采用X射线衍射、扫描电子显微镜、Raman光谱仪分析薄膜的生长取向、微观形貌以及晶格振动特征,系统地研究了Gd掺杂对应力的调控机制.结果表明:随着Gd掺杂比例的增加,晶体的晶格常数变大,导致膜内的张应力增加,薄膜的c轴取向也随之升高;但是随着Gd含量的进一步增加,会使薄膜结构恶化,性能下降;当Gd:Y的掺杂比例为1:1时,薄膜的c轴晶粒取向最佳,可以有效克服厚度效应.
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出版历程
  • 刊出日期:  2017-08-15

Gd掺杂对无氟金属有机物沉积法制备Y1-xGdxBCO薄膜的应力调控

  • 南京邮电大学电子科学与工程学院,南京,210003
  • 南京邮电大学理学院, 先进功能陶瓷研究中心, 南京 210003;南京大学(苏州)高新技术研究所, 苏州 215123
  • 南京邮电大学理学院, 先进功能陶瓷研究中心, 南京 210003

摘要: 为了揭示Gd掺杂对克服YBa2 Cu3 O7-δ(YBCO)薄膜厚度效应的机制,采用无氟金属有机物沉积法在铝酸镧基底上沉积制备了一系列不同掺杂比例的Y1-xGdxBCO薄膜,并且采用X射线衍射、扫描电子显微镜、Raman光谱仪分析薄膜的生长取向、微观形貌以及晶格振动特征,系统地研究了Gd掺杂对应力的调控机制.结果表明:随着Gd掺杂比例的增加,晶体的晶格常数变大,导致膜内的张应力增加,薄膜的c轴取向也随之升高;但是随着Gd含量的进一步增加,会使薄膜结构恶化,性能下降;当Gd:Y的掺杂比例为1:1时,薄膜的c轴晶粒取向最佳,可以有效克服厚度效应.

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