空间高能离子在纳米级SOI SRAM中引起的 单粒子翻转特性及物理机理研究

上一篇

下一篇

张战刚, 雷志锋, 岳龙, 刘远, 何玉娟, 彭超, 师谦, 黄云, 恩云飞. 2017: 空间高能离子在纳米级SOI SRAM中引起的 单粒子翻转特性及物理机理研究, 物理学报, 66(24): 181-190. doi: 10.7498/aps.66.246102
引用本文: 张战刚, 雷志锋, 岳龙, 刘远, 何玉娟, 彭超, 师谦, 黄云, 恩云飞. 2017: 空间高能离子在纳米级SOI SRAM中引起的 单粒子翻转特性及物理机理研究, 物理学报, 66(24): 181-190. doi: 10.7498/aps.66.246102
Zhang Zhan-Gang, Lei Zhi-Feng, Yue Long, Liu Yuan, He Yu-Juan, Peng Chao, Shi Qian, Huang Yun, En Yun-Fei. 2017: Single event upset characteristics and physical mechanism for nanometric SOI SRAM induced by space energeticions, Acta Physica Sinica, 66(24): 181-190. doi: 10.7498/aps.66.246102
Citation: Zhang Zhan-Gang, Lei Zhi-Feng, Yue Long, Liu Yuan, He Yu-Juan, Peng Chao, Shi Qian, Huang Yun, En Yun-Fei. 2017: Single event upset characteristics and physical mechanism for nanometric SOI SRAM induced by space energeticions, Acta Physica Sinica, 66(24): 181-190. doi: 10.7498/aps.66.246102

空间高能离子在纳米级SOI SRAM中引起的 单粒子翻转特性及物理机理研究

Single event upset characteristics and physical mechanism for nanometric SOI SRAM induced by space energeticions

  • 摘要: 基于蒙特卡罗方法研究空间高能离子在65—32 nm绝缘体上硅静态随机存取存储器(SOI SRAM)中产生的灵敏区沉积能量谱、单粒子翻转截面和空间错误率特性及内在的物理机理.结果表明:单核能为200 MeV/n的空间离子在60—40 nm厚的灵敏区中产生的能损歧离导致纳米级SOI SRAM在亚线性能量转移阈值区域出现单粒子翻转;宽的二次电子分布导致灵敏区仅能部分收集单个高能离子径迹中的电子-空穴对,致使灵敏区最大和平均沉积能量各下降25%和33.3%,进而引起单粒子翻转概率降低,以及在轨错误率下降约80%.发现俘获带质子直接电离作用导致65 nm SOI SRAM的在轨错误率增大一到两个数量级.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  169
  • HTML全文浏览数:  125
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2017-12-30

空间高能离子在纳米级SOI SRAM中引起的 单粒子翻转特性及物理机理研究

  • 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室,工业和信息化部电子第五研究所,广州 510610

摘要: 基于蒙特卡罗方法研究空间高能离子在65—32 nm绝缘体上硅静态随机存取存储器(SOI SRAM)中产生的灵敏区沉积能量谱、单粒子翻转截面和空间错误率特性及内在的物理机理.结果表明:单核能为200 MeV/n的空间离子在60—40 nm厚的灵敏区中产生的能损歧离导致纳米级SOI SRAM在亚线性能量转移阈值区域出现单粒子翻转;宽的二次电子分布导致灵敏区仅能部分收集单个高能离子径迹中的电子-空穴对,致使灵敏区最大和平均沉积能量各下降25%和33.3%,进而引起单粒子翻转概率降低,以及在轨错误率下降约80%.发现俘获带质子直接电离作用导致65 nm SOI SRAM的在轨错误率增大一到两个数量级.

English Abstract

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回