材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增的影响

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董烨, 刘庆想, 庞健, 周海京, 董志伟. 2018: 材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增的影响, 物理学报, 67(3): 234-242. doi: 10.7498/aps.67.20172119
引用本文: 董烨, 刘庆想, 庞健, 周海京, 董志伟. 2018: 材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增的影响, 物理学报, 67(3): 234-242. doi: 10.7498/aps.67.20172119
Dong Ye, Liu Qing-Xiang, Pang Jian, Zhou Hai-Jing, Dong Zhi-Wei. 2018: Influence of secondary electron yield of material on two-sided multipactor discharge in cavity, Acta Physica Sinica, 67(3): 234-242. doi: 10.7498/aps.67.20172119
Citation: Dong Ye, Liu Qing-Xiang, Pang Jian, Zhou Hai-Jing, Dong Zhi-Wei. 2018: Influence of secondary electron yield of material on two-sided multipactor discharge in cavity, Acta Physica Sinica, 67(3): 234-242. doi: 10.7498/aps.67.20172119

材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增的影响

Influence of secondary electron yield of material on two-sided multipactor discharge in cavity

  • 摘要: 采用蒙特卡罗抽样与粒子模拟相结合的方法,数值研究了材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增瞬态演化及饱和特性的影响.研究发现:随着材料二次电子产额的增加,二次电子增长率以及稳态二次电子数目和振幅均呈现增加的趋势,放电电流起振时间逐步缩短,稳态电流幅值以及放电功率平均值和振幅值均呈现逐步增加并趋于饱和的规律,沉积功率波形延时以及脉宽呈现逐步增加并趋于饱和的趋势.粒子模拟给出了高/低二次电子产额情况下的电子相空间分布、电荷密度分布、平均碰撞能量、平均二次电子产额、二次电子数目和放电电流的细致物理图像.模拟结果表明:高二次电子产额材料,饱和时更倾向趋于单边二次电子倍增类型分布;低二次电子产额材料的二次电子倍增饱和特性由空间电荷场的"去群聚"效应和"反场"效应同时决定,而高二次电子产额材料的二次电子倍增饱和特性则主要是由发射面附近的强空间电荷场"反场"效应决定的.
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出版历程
  • 刊出日期:  2018-02-15

材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增的影响

  • 西南交通大学物理科学与技术学院,成都 610031;北京应用物理与计算数学研究所,北京 100094
  • 西南交通大学物理科学与技术学院,成都,610031
  • 中国工程物理研究院流体物理研究所,绵阳,621900
  • 北京应用物理与计算数学研究所,北京,100094

摘要: 采用蒙特卡罗抽样与粒子模拟相结合的方法,数值研究了材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增瞬态演化及饱和特性的影响.研究发现:随着材料二次电子产额的增加,二次电子增长率以及稳态二次电子数目和振幅均呈现增加的趋势,放电电流起振时间逐步缩短,稳态电流幅值以及放电功率平均值和振幅值均呈现逐步增加并趋于饱和的规律,沉积功率波形延时以及脉宽呈现逐步增加并趋于饱和的趋势.粒子模拟给出了高/低二次电子产额情况下的电子相空间分布、电荷密度分布、平均碰撞能量、平均二次电子产额、二次电子数目和放电电流的细致物理图像.模拟结果表明:高二次电子产额材料,饱和时更倾向趋于单边二次电子倍增类型分布;低二次电子产额材料的二次电子倍增饱和特性由空间电荷场的"去群聚"效应和"反场"效应同时决定,而高二次电子产额材料的二次电子倍增饱和特性则主要是由发射面附近的强空间电荷场"反场"效应决定的.

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