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基于Au/TiO2/FTO结构忆阻器的开关特性 与机理研究

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余志强, 刘敏丽, 郎建勋, 钱楷, 张昌华. 2018: 基于Au/TiO2/FTO结构忆阻器的开关特性 与机理研究, 物理学报, 67(15): 111-120. doi: 10.7498/aps.67.20180425
引用本文: 余志强, 刘敏丽, 郎建勋, 钱楷, 张昌华. 2018: 基于Au/TiO2/FTO结构忆阻器的开关特性 与机理研究, 物理学报, 67(15): 111-120. doi: 10.7498/aps.67.20180425
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Yu Zhi-Qiang, Liu Min-Li, Lang Jian-Xun, Qian Kai, Zhang Chang-Hua. 2018: Resistive switching characteristics and resistive switching mechanism of Au/TiO2/FTO memristor, Acta Physica Sinica, 67(15): 111-120. doi: 10.7498/aps.67.20180425
Citation: Yu Zhi-Qiang, Liu Min-Li, Lang Jian-Xun, Qian Kai, Zhang Chang-Hua. 2018: Resistive switching characteristics and resistive switching mechanism of Au/TiO2/FTO memristor, Acta Physica Sinica, 67(15): 111-120. doi: 10.7498/aps.67.20180425
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基于Au/TiO2/FTO结构忆阻器的开关特性 与机理研究

  • 湖北民族学院电气工程系, 恩施 445000;华中科技大学光学与电子信息学院, 武汉 430074

  • 湖北民族学院电气工程系,恩施,445000

Resistive switching characteristics and resistive switching mechanism of Au/TiO2/FTO memristor

  • 摘要: 采用简单的一步水热法在FTO导电玻璃上外延生长了锐钛矿TiO2纳米线,制备了具有Au/TiO2/FTO器件结构的锐钛矿TiO2纳米线忆阻器,系统研究了器件的阻变开关特性和开关机理.结果表明,Au/TiO2/FTO忆阻器具有非易失的双极性阻变开关特性.同时,在103 s的时间内,器件在0.1 V的电阻开关比始终保持在20以上,表明器件具有良好的非易失性.此外,器件在低阻态时遵循欧姆导电特性,而在高阻态时则满足陷阱控制的空间电荷限制电流传导机制,同时提出了基于氧空位导电细丝形成与断开机制的阻变开关模型.研究结果表明Au/TiO2/FTO忆阻器将是一种很有发展潜力的下一代非易失性存储器.
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出版历程

基于Au/TiO2/FTO结构忆阻器的开关特性 与机理研究

  • 湖北民族学院电气工程系, 恩施 445000;华中科技大学光学与电子信息学院, 武汉 430074
  • 湖北民族学院电气工程系,恩施,445000

摘要: 采用简单的一步水热法在FTO导电玻璃上外延生长了锐钛矿TiO2纳米线,制备了具有Au/TiO2/FTO器件结构的锐钛矿TiO2纳米线忆阻器,系统研究了器件的阻变开关特性和开关机理.结果表明,Au/TiO2/FTO忆阻器具有非易失的双极性阻变开关特性.同时,在103 s的时间内,器件在0.1 V的电阻开关比始终保持在20以上,表明器件具有良好的非易失性.此外,器件在低阻态时遵循欧姆导电特性,而在高阻态时则满足陷阱控制的空间电荷限制电流传导机制,同时提出了基于氧空位导电细丝形成与断开机制的阻变开关模型.研究结果表明Au/TiO2/FTO忆阻器将是一种很有发展潜力的下一代非易失性存储器.

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