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基于磁电耦合效应的基本电路元件和非易失性存储器

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申见昕, 尚大山, 孙阳. 2018: 基于磁电耦合效应的基本电路元件和非易失性存储器, 物理学报, 67(12): 197-212. doi: 10.7498/aps.67.20180712
引用本文: 申见昕, 尚大山, 孙阳. 2018: 基于磁电耦合效应的基本电路元件和非易失性存储器, 物理学报, 67(12): 197-212. doi: 10.7498/aps.67.20180712
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Shen Jian-Xin, Shang Da-Shan, Sun Young. 2018: Fundamental circuit element and nonvolatile memory based on magnetoelectric effect, Acta Physica Sinica, 67(12): 197-212. doi: 10.7498/aps.67.20180712
Citation: Shen Jian-Xin, Shang Da-Shan, Sun Young. 2018: Fundamental circuit element and nonvolatile memory based on magnetoelectric effect, Acta Physica Sinica, 67(12): 197-212. doi: 10.7498/aps.67.20180712
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基于磁电耦合效应的基本电路元件和非易失性存储器

  • 中国科学院物理研究所, 北京 100190;中国科学院大学物理科学学院, 北京 100049

  • 中国科学院物理研究所,北京,100190

Fundamental circuit element and nonvolatile memory based on magnetoelectric effect

  • 摘要: 磁电耦合效应是指磁场控制电极化或者电场控制磁性的物理现象,它们为开发新型电子器件提供了额外的物理状态自由度,具有巨大的应用潜力.磁电耦合系数作为磁电耦合材料的重要参量,体现了材料磁化和电极化的耦合性能,其随外加物理场的变化可以表现出非线性回滞行为,具备作为非易失存储的物理状态特征.本文讨论了基于磁电耦合效应如何建立起电荷-磁通之间的直接关联,继而实现了第四种基本电路元件并构建了完整的电路元件关系图.在此基础上,研究了多铁性异质结中的非线性磁电耦合效应,并利用其独特的电荷-磁通关联特性,开发了基于磁电耦合系数的电写-磁读型非易失性信息存储、逻辑计算与类神经突触记忆等一系列新型信息功能器件.
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出版历程

基于磁电耦合效应的基本电路元件和非易失性存储器

  • 中国科学院物理研究所, 北京 100190;中国科学院大学物理科学学院, 北京 100049
  • 中国科学院物理研究所,北京,100190

摘要: 磁电耦合效应是指磁场控制电极化或者电场控制磁性的物理现象,它们为开发新型电子器件提供了额外的物理状态自由度,具有巨大的应用潜力.磁电耦合系数作为磁电耦合材料的重要参量,体现了材料磁化和电极化的耦合性能,其随外加物理场的变化可以表现出非线性回滞行为,具备作为非易失存储的物理状态特征.本文讨论了基于磁电耦合效应如何建立起电荷-磁通之间的直接关联,继而实现了第四种基本电路元件并构建了完整的电路元件关系图.在此基础上,研究了多铁性异质结中的非线性磁电耦合效应,并利用其独特的电荷-磁通关联特性,开发了基于磁电耦合系数的电写-磁读型非易失性信息存储、逻辑计算与类神经突触记忆等一系列新型信息功能器件.

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