晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容散射机制

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任舰, 苏丽娜, 李文佳. 2018: 晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容散射机制, 物理学报, 67(24): 206-210. doi: 10.7498/aps.67.20181050
引用本文: 任舰, 苏丽娜, 李文佳. 2018: 晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容散射机制, 物理学报, 67(24): 206-210. doi: 10.7498/aps.67.20181050
Ren Jian, Su Li-Na, Li Wen-Jia. 2018: Capacitance scattering mechanism in lattice-matched In0.17Al0.83N/GaN heterojunction Schottky diodes, Acta Physica Sinica, 67(24): 206-210. doi: 10.7498/aps.67.20181050
Citation: Ren Jian, Su Li-Na, Li Wen-Jia. 2018: Capacitance scattering mechanism in lattice-matched In0.17Al0.83N/GaN heterojunction Schottky diodes, Acta Physica Sinica, 67(24): 206-210. doi: 10.7498/aps.67.20181050

晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容散射机制

Capacitance scattering mechanism in lattice-matched In0.17Al0.83N/GaN heterojunction Schottky diodes

  • 摘要: 制备了晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结圆形平面结构肖特基二极管,通过测试和拟合器件的电容-频率曲线,研究了电容的频率散射机制.结果表明:在频率高于200 kHz后,积累区电容随频率出现增加现象,而传统的电容模型无法解释该现象.通过考虑漏电流、界面态和串联电阻等影响对传统模型进行修正,修正后的电容频率散射模型与实验结果很好地符合,表明晶格匹配In0.17Al0.s3N/GaN异质结电容随频率散射是漏电流、界面态和串联电阻共同作用的结果.
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  • 刊出日期:  2018-12-30

晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容散射机制

  • 淮阴师范学院物联网工程系,淮安,223600

摘要: 制备了晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结圆形平面结构肖特基二极管,通过测试和拟合器件的电容-频率曲线,研究了电容的频率散射机制.结果表明:在频率高于200 kHz后,积累区电容随频率出现增加现象,而传统的电容模型无法解释该现象.通过考虑漏电流、界面态和串联电阻等影响对传统模型进行修正,修正后的电容频率散射模型与实验结果很好地符合,表明晶格匹配In0.17Al0.s3N/GaN异质结电容随频率散射是漏电流、界面态和串联电阻共同作用的结果.

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