晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容散射机制
Capacitance scattering mechanism in lattice-matched In0.17Al0.83N/GaN heterojunction Schottky diodes
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摘要: 制备了晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结圆形平面结构肖特基二极管,通过测试和拟合器件的电容-频率曲线,研究了电容的频率散射机制.结果表明:在频率高于200 kHz后,积累区电容随频率出现增加现象,而传统的电容模型无法解释该现象.通过考虑漏电流、界面态和串联电阻等影响对传统模型进行修正,修正后的电容频率散射模型与实验结果很好地符合,表明晶格匹配In0.17Al0.s3N/GaN异质结电容随频率散射是漏电流、界面态和串联电阻共同作用的结果.
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关键词:
- 晶格匹配 /
- In0.17Al0.83N/GaN异质结 /
- 电容频率散射
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