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940nm垂直腔面发射激光器的设计及制备

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于洪岩, 尧舜, 张红梅, 王青, 张杨, 周广正, 吕朝晨, 程立文, 郎陆广, 夏宇, 周天宝, 康联鸿, 王智勇, 董国亮. 2019: 940nm垂直腔面发射激光器的设计及制备, 物理学报, 68(6): 123-129. doi: 10.7498/aps.68.20181822
引用本文: 于洪岩, 尧舜, 张红梅, 王青, 张杨, 周广正, 吕朝晨, 程立文, 郎陆广, 夏宇, 周天宝, 康联鸿, 王智勇, 董国亮. 2019: 940nm垂直腔面发射激光器的设计及制备, 物理学报, 68(6): 123-129. doi: 10.7498/aps.68.20181822
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Yu Hong-Yan, Yao Shun, Zhang Hong-Mei, Wang Qing, Zhang Yang, Zhou Guang-Zheng, Lü Zhao-Chen, Cheng Li-Wen, Lang Lu-Guang, Xia Yu, Zhou Tian-Bao, Kang Lian-Hong, Wang Zhi-Yong, Dong Guo-Liang. 2019: Design and fabrication of 940 nm vertical-cavity surface-emitting lasers, Acta Physica Sinica, 68(6): 123-129. doi: 10.7498/aps.68.20181822
Citation: Yu Hong-Yan, Yao Shun, Zhang Hong-Mei, Wang Qing, Zhang Yang, Zhou Guang-Zheng, Lü Zhao-Chen, Cheng Li-Wen, Lang Lu-Guang, Xia Yu, Zhou Tian-Bao, Kang Lian-Hong, Wang Zhi-Yong, Dong Guo-Liang. 2019: Design and fabrication of 940 nm vertical-cavity surface-emitting lasers, Acta Physica Sinica, 68(6): 123-129. doi: 10.7498/aps.68.20181822
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940nm垂直腔面发射激光器的设计及制备

  • 北京工业大学激光工程研究院,北京,100124

  • 华芯半导体科技有限公司,泰州,225300

  • 扬州大学物理科学与技术学院,扬州,225002

Design and fabrication of 940 nm vertical-cavity surface-emitting lasers

  • 摘要: 利用PICS3D计算得到InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的增益特性,得到量子阱的各项参数,再通过传输矩阵理论和TFCalc膜系设计软件分别仿真出上下分布式布拉格反射镜的白光反射谱.采用金属有机化合物气相沉积技术外延生长了垂直腔面发射激光器结构,之后通过干法刻蚀、湿法氧化以及金属电极等芯片技术制备得到8μm氧化孔径的VCSEL芯片.最终,测试得到其光电特性实现室温下阈值电流和斜效率分别为0.95 mA和0.96 W/A,在6 mA电流和2V电压下输出功率达到4.75 mW,并测试了VCSEL的高温特性.
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出版历程

940nm垂直腔面发射激光器的设计及制备

  • 北京工业大学激光工程研究院,北京,100124
  • 华芯半导体科技有限公司,泰州,225300
  • 扬州大学物理科学与技术学院,扬州,225002

摘要: 利用PICS3D计算得到InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的增益特性,得到量子阱的各项参数,再通过传输矩阵理论和TFCalc膜系设计软件分别仿真出上下分布式布拉格反射镜的白光反射谱.采用金属有机化合物气相沉积技术外延生长了垂直腔面发射激光器结构,之后通过干法刻蚀、湿法氧化以及金属电极等芯片技术制备得到8μm氧化孔径的VCSEL芯片.最终,测试得到其光电特性实现室温下阈值电流和斜效率分别为0.95 mA和0.96 W/A,在6 mA电流和2V电压下输出功率达到4.75 mW,并测试了VCSEL的高温特性.

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