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等离子体屏蔽效应对Ar16+基态和激发态能级的影响

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马堃, 陈展斌, 黄时中. 2019: 等离子体屏蔽效应对Ar16+基态和激发态能级的影响, 物理学报, 68(2): 58-67. doi: 10.7498/aps.68.20181915
引用本文: 马堃, 陈展斌, 黄时中. 2019: 等离子体屏蔽效应对Ar16+基态和激发态能级的影响, 物理学报, 68(2): 58-67. doi: 10.7498/aps.68.20181915
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Ma Kun, Chen Zhan-Bin, Huang Shi-Zhong. 2019: Influence of plasma shielding effect on ground state and excited state energies of Ar16+, Acta Physica Sinica, 68(2): 58-67. doi: 10.7498/aps.68.20181915
Citation: Ma Kun, Chen Zhan-Bin, Huang Shi-Zhong. 2019: Influence of plasma shielding effect on ground state and excited state energies of Ar16+, Acta Physica Sinica, 68(2): 58-67. doi: 10.7498/aps.68.20181915
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等离子体屏蔽效应对Ar16+基态和激发态能级的影响

  • 黄山学院信息工程学院,黄山,245041

  • 湖南工业大学理学院,株洲,412007

  • 安徽师范大学物理与电子信息学院,芜湖,241000

Influence of plasma shielding effect on ground state and excited state energies of Ar16+

  • 摘要: 基于Rayleigh-Ritz变分原理,发展了一套处理弱耦合等离子体环境中多电子原子(离子)非相对论能量及其相对论修正的解析方法.通过考虑电子间交换相互作用以及内外壳层电子的屏蔽效应,计算了Ar16+基态1s21S、单激发态1sns 1,3S(n=2—5),1snp 1,3P(n=2—5)和双激发态2snp 1P(n=2—5)非相对论能量及其相对论修正值(包括质量修正、单体和双体达尔文修正以及自旋-自旋接触相互作用项),讨论了等离子体屏蔽效应对能级的影响.结果表明:相对论质量修正和第一类达尔文修正占主导,比其他相对论修正项高出三个数量级.此外,等离子体屏蔽效应具有明显的态选择性,屏蔽效应对外壳层电子的影响大于内壳层电子,随着等离子体屏蔽参数的增加,外壳层电子轨道向外延展,激发态越高,延展程度越大.
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出版历程
  • 刊出日期:  2019-01-01

等离子体屏蔽效应对Ar16+基态和激发态能级的影响

  • 黄山学院信息工程学院,黄山,245041
  • 湖南工业大学理学院,株洲,412007
  • 安徽师范大学物理与电子信息学院,芜湖,241000

摘要: 基于Rayleigh-Ritz变分原理,发展了一套处理弱耦合等离子体环境中多电子原子(离子)非相对论能量及其相对论修正的解析方法.通过考虑电子间交换相互作用以及内外壳层电子的屏蔽效应,计算了Ar16+基态1s21S、单激发态1sns 1,3S(n=2—5),1snp 1,3P(n=2—5)和双激发态2snp 1P(n=2—5)非相对论能量及其相对论修正值(包括质量修正、单体和双体达尔文修正以及自旋-自旋接触相互作用项),讨论了等离子体屏蔽效应对能级的影响.结果表明:相对论质量修正和第一类达尔文修正占主导,比其他相对论修正项高出三个数量级.此外,等离子体屏蔽效应具有明显的态选择性,屏蔽效应对外壳层电子的影响大于内壳层电子,随着等离子体屏蔽参数的增加,外壳层电子轨道向外延展,激发态越高,延展程度越大.

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