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荧光粉转换型白光发光二极管(pc-WLED)作为第四代固体照明光源, 因其具有能量效率高、环境友好、寿命长及体积小等突出优点, 正逐步取代传统照明方案, 在通用照明、液晶背光及特种光源等领域展现出巨大的应用潜力[1–4]. 理想的白色照明光源需同时具备高光效、高显色指数与舒适的色温. 然而, 当前市场上最为成熟的pc-WLED方案, 是采用蓝光GaN芯片激发Y3Al5O12:Ce3+ (YAG:Ce3+)黄色荧光粉, 通过蓝光和黄光混合产生白光. 该方案因制备工艺简单、成本低廉而被广泛采用, 但其发射光谱中严重缺乏红光成分, 导致所制备器件的显色指数偏低(Ra < 80)、相对色温偏高(CCT > 4500 K), 难以满足高品质健康照明的要求, 且长期工作时易出现色彩漂移[5–10].
为解决这一技术瓶颈, 研究人员提出了另一种颇具前景的技术路线: 利用近紫外(n-UV)LED芯片激发三基色(红、绿、蓝)荧光粉. 此方案有望获得光谱连续、显色性优异的白光. 然而, 该技术的实用化进程严重受限于高性能红色荧光粉的匮乏. 商用红色荧光粉, 如Y2O2S:Eu3+ 存在化学稳定性差、发光效率低且在n-UV区域吸收不足等问题. 因此, 探索与开发近紫外光高效激发且具备高量子效率、优异热稳定性及合适色坐标的新型红色荧光粉, 已成为推动pc-WLED技术向前发展的关键课题之一[11–15].
在众多发光中心中, 三价铕离子(Eu3+)因其独特的4f-4f电子跃迁特性, 成为高性能红色荧光粉的理想选择. 稀土离子作为激活中心, 其发光性能源于未满壳层的4f电子在不同能级间的跃迁行为. 由于被外层5s25p6电子有效屏蔽, 4f-4f跃迁通常呈现尖锐的线状发射, 赋予稀土发光材料色纯度高、荧光寿命长等突出优点, 使其在先进照明、显示、传感等诸多高技术领域备受关注[13,14]. Eu3+ 离子的5D0→7FJ (J = 0—4)跃迁能够产生一系列特征发射, 其中位于610 nm的5D0→7F2电偶极跃迁尤为关键, 能发射出高纯度的红色光. 此外, Eu3+ 在392 nm (7F0→5L6)和465 nm (7F0→5D2)等处的特征激发峰, 能很好地匹配商用近紫外及蓝光LED芯片, 使其成为pc-WLED用红色荧光粉的理想激活离子[16–18]. 尽管如此, 开发兼具高量子效率与优异热稳定性的Eu3+激活荧光粉仍是当前的研究挑战. 已有报道的多种Eu3+ 掺杂荧光粉, 如BaY2ZnO5:Eu3+和Sr2InTaO6:Eu3+等, 其热猝灭性能仍有待提升, 难以满足pc-WLED器件在150 ℃左右工作温度下的长期稳定性要求[19–23].
研究表明, 在稀土掺杂的基质中引入碱金属离子(如Li+, Na+, K+)是一种有效提升发光性能的策略[24–29]. 这类离子通常作为电荷补偿剂或晶格修饰剂, 通过适量掺杂引起局域晶格畸变、降低激活离子格位的对称性, 从而改变其偶极跃迁选择定则, 增强辐射跃迁概率. 例如, Guo等[28]证实Li+掺杂诱导ErF3纳米晶晶格收缩, 显著增强Er3+的上转换发光; Veen等[29]通过Li+, Dy3+共掺杂, 成功提升了Gd2MgTiO6:Dy3+荧光粉的发光性能.
本研究选取橄榄石结构的CaLaGaO4(CLGO)作为基质, 该材料[30]已被本课题组证实是一种适合Eu3+离子掺杂的优异基质, 其中Eu3+离子最佳掺杂原子百分比为30%. 为进一步优化其发光性能, 本文系统性地引入Na+, 期望通过Na+离子掺杂影响Eu3+周围晶体场, 提升荧光粉的发光效率. 本研究采用高温固相法成功制备Ca1–0.5xLa0.7Eu0.3GaO4:xNa+系列荧光粉, 并详细地研究Na+掺杂对其晶体结构、发光强度、荧光寿命、量子效率及热稳定性的影响, 最终将其应用于近紫外白光LED器件, 评估其实际应用潜力.
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碳酸钙(CaCO3, 99.9%)、氧化镧(La2O3, 99.99%)、氧化镓(Ga2O3, 99.99%)、氧化铕(Eu2O3, 99.9%)、碳酸钠(Na2CO3, 99.9%)、无水乙醇(99%), 以上化学试剂均购自上海阿拉丁股份有限公司.
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本研究采用高温固相法制备Ca1–0.5xLa0.7Eu0.3GaO4:xNa+ (CLEGO:xNa+, x = 0, 0.1%, 0.5%, 0.9%, 1.3%, 1.7%, 摩尔百分比)系列荧光粉. 首先, 将各试剂按化学计量比精确称量, 置于玛瑙研钵中, 加入少量无水乙醇研磨0.5 h, 使原料充分混合均匀. 随后, 将混合均匀的样品压片, 置于坩埚中, 放入马弗炉内, 在1246 ℃下烧结6 h. 待样品随炉冷却至室温后取出, 研磨均匀, 做好标记备用.
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利用布鲁克D8ADVANCEA25型X射线衍射仪分析样品的晶体结构; 采用日立JSM-7500F型扫描电子显微镜观察样品的微观形貌及元素分布; 使用岛津UV3600分光光度计采集漫反射光谱; 通过堀场FluoroMax+光谱仪测量稳态室温和变温(298—498 K)光致发光(PL)光谱; 采用爱丁堡FLS980光谱仪测试荧光寿命及量子效率.
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图1(a)展示了通过高温固相法合成的CLEGO:xNa+系列荧光粉的X射线衍射(XRD)图谱. 所有样品的衍射峰均与纯相CLGO橄榄石结构的标准卡片(PDF No. 04-010-6387)保持一致, 且无杂相出现, 表明Na+ 的引入未改变基质的晶体结构. 值得关注的是, 如图1(b)所示, XRD局部放大图显示出一个重要的变化规律: 随着Na+掺杂浓度从0.1%增加至1.7%, 衍射峰均呈现出明显地向低角度偏移的趋势. 根据布拉格方程可知, 衍射角θ的减小直接反映了晶面间距d的增大. 因此, 衍射峰逐渐低角度偏移表明Na+的成功掺入CLEGO基质, 并导致晶格发生了显著的膨胀.
为了进一步获得样品的结构信息, 采用GSASⅡ软件对CLEGO:0.1%Na+和CLEGO:0.9%Na+荧光粉的XRD数据进行结构精修, 结果如图1(c)和图1(d)所示. CLEGO:0.1%Na+和CLEGO:0.9%Na+均为橄榄石结构, 空间群为Pnma, 晶格常数分别为: a = 11.696 Å, b = 5.334 Å, c = 6.794 Å, α = β = γ = 90°, V = 423.933 Å3; a = 11.711 Å, b = 5.341 Å, c = 6.803 Å, α = β = γ = 90°, V = 425.577 Å3. 对比以上两组数据, 随着Na+离子浓度从0.1%增加至0.9%, 晶格常数明显增大, 晶胞体积也相应发生膨胀. 由于Na+(离子半径约1.02 Å, CN = 6)最有可能取代晶格中半径较小的Ca2+(约1.00 Å, CN = 6)位点. 但Na+ 的离子半径略大于Ca2+, 其取代过程会引入晶格应力, 导致晶格常数增大. 这种由离子取代引起的晶格畸变, 为后续观察到的Eu3+发光增强提供了关键的结构基础, 因为局域晶体场的改变直接影响着Eu3+的4f-4f跃迁概率.
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图2(a)为CLEGO:0.9%Na+荧光粉的SEM图像. 样品由形状不规则、棱角分明的微米级颗粒组成, 粒径分布在1—10 μm范围内, 颗粒间存在一定程度的团聚, 这是高温固相法产物的典型形貌特征. 图2(b)—(g)的EDS元素面分布图分别对应Ca, La, Eu, Ga, O和Na六种元素. 结果表明, Ca, La, Eu, Ga和O作为基质主要成分, 在颗粒中分布均匀, 未观察到明显的元素偏析或第二相, 同时面分布图显示Na元素与颗粒形貌对应, 证实Na+已成功掺入. 图2(h)的EDS能谱分析确认样品中含有O, Na, Ca, Ga, La和Eu元素, 未见其他杂质元素, 半定量分析显示, 实测阳离子比例与CLEGO:0.9%Na+ 理论阳离子比例吻合.
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图3为CLEGO和CLEGO:0.9%Na+荧光粉的漫反射光谱, 插图为相应的 [F(R)hv]2与hv关系曲线. 从漫反射光谱可知, 两种样品在200—350 nm的紫外区均存在一个强烈的宽吸收带, 它归属于O2–→Eu3+/La3+ 的电荷迁移带. 值得注意的是, Na+掺杂样品的反射率在250—400 nm波长范围内均显著低于未掺杂样品, 表明其光吸收能力得到增强. 在350—500 nm范围内, 光谱中可观察到一系列微弱的吸收峰, 分别位于395 nm和 465 nm处, 这些是Eu3+ 的4f-4f特征跃迁.
为深入理解能带结构变化, 基于Kubelka-Munk函数将漫反射数据转换为相应的Tauc关系图(见图3插图), 并采用直接带隙模型进行拟合[26]:
其中F(R)为基于漫反射光谱计算的Kubelka-Munk函数值; A, R, n和
$h\nu $ 分别代表吸收常数、反射率、指数因子和光子能量. 结果显示, 未掺杂CLEGO的光学带隙约为3.41 eV, 而 Na+掺杂样品的光学带隙减小至3.19 eV. 这种显著的带隙窄化现象, 与XRD分析中观察到的晶格膨胀密切相关: 当Na+ 取代Ca2+后, 由于Na+ 半径较大, 引起晶格膨胀, 导致Ca/La—O键长增加, O的2p轨道与邻近阳离子(Ga3+)轨道的杂化程度降低. 根据晶体场理论, 这种变化使得价带顶向上移动, 而导带底变化较小, 最终导致光学带隙从3.41 eV窄化至3.19 eV, 该机制与文献[31,32]报道的结果一致.图4(a)展示了CLEGO:0.9%Na+ 在室温下的激发光谱与发射光谱, 其中监测波长为609 nm, 激发波长为392 nm. 该样品的激发谱由230—280 nm的宽带和若干锐线组成: 宽带源于O2–→La3+/Eu3+ 的电荷转移跃迁, 锐线对应于Eu3+ 的4f-4f跃迁[21,22],分别为7F0→5D4(361 nm), 7F0→7L7(380 nm), 7F0→5L6(392 nm)和7F0→5D3(403, 413 nm). 发射峰归属于5D0→7F0(578 nm), 5D0→7F1( 594 nm)和5D0→7F2(609, 620 nm)[33]; 其中5D0→5F1为磁偶极跃迁, 5D0→7F2为电偶极跃迁. 由于电偶极跃迁对局域对称性高度敏感, 当Eu3+占据无反演中心格位时, 609 nm红光最强; 若占据反演中心格位, 则594 nm橙红光占优. 显然, 在CLEGO基质中, Eu3+占据无反演中心的格位.
图4(b)为CLEGO:xNa+ (x = 0—1.7%)在392 nm激发下的发射光谱. 所有样品均在578, 594, 609 nm处呈现明显发射峰, 对应Eu3+ 的5D0→7FJ (J = 0, 1, 2)能级跃迁. 其插图显示, 当Na+掺杂量为0.9%时, 发光强度提升为未掺杂Na+荧光粉的1.82倍. 这是因为, Na+离子进入主晶格, 诱发晶格畸变, 降低Eu3+周围晶体场的对称性, 显著增强609 nm (5D0→7F2)处的发光强度. 随着Na+掺杂量进一步增加, 晶格扭曲加剧, 非辐射复合增多, 导致发光强度逐渐下降.
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为更全面评估荧光粉的热稳定性, 测试了不同温度下CLEGO:0.9%Na+的荧光强度, 激发波长为392 nm, 结果如图5(a)所示. 测试结果显示随着温度从298 K升高至498 K, 荧光粉表现出明显的热猝灭效应. 如图5(b)所示, 随着温度升高, 荧光强度逐渐降低, 这是由于晶格振动增强导致激活离子的非辐射跃迁概率增加. 当温度高达到498 K时, 样品的荧光强度仍保持室温下的64.9%, 表明该样品具有较高的热稳定性[34].
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如图6所示, 在室温下以392 nm为激发波长、609 nm为监测波长, 收集CLEGO:xNa+系列样品的荧光衰减数据, 并利用(3)式进行单指数拟合[35,36]:
式中, It, I0分别表示t时刻的荧光强度和初始时刻的荧光强度; τ为衰减时间; A为常数. 测试结果显示, 荧光寿命均在0.93—0.99 ms范围内, 与Rajkumar等[19]和Zhao等[31]报道的结果一致[19,31].
图7为CLEGO:0.9%Na+荧光粉在392 nm波长近紫外光激发下的量子产率(quantum yield, QY). 量子产率可通过(4)式来计算:
其中LS和ES分别为样品的发射和激发光谱积分强度, ER为仅含BaSO4参比时激发光谱积分强度. 测试结果显示, CLEGO:0.9%Na+荧光粉的量子产率为14.3%, 而未掺Na+荧光粉量子产率为11.3%[31], 相应提高了26%.
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为进一步探索CLEGO:0.9%Na+荧光粉在白光LED中的潜在应用, 将其与商用蓝色荧光粉BaMgAl10O17:Eu2+ 和绿色荧光粉Sr2SiO4:Eu2+按一定比例混合, 并封装在392 nm近紫外芯片上制成白光LED. 如图8(a)所示, CLEGO:0.9%Na+荧光粉的发光光谱色坐标为(0.609, 0.361), 而白光LED的光谱色坐标为(0.301, 0.354), 显色指数Ra为81.8, 相对色温为6900 K.
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本文采用高温固相法成功合成了一系列不同浓度Na+ 掺杂CaLa0.7Eu0.3GaO4红色荧光粉, 并系统研究了Na+掺杂对其晶体结构、发光性能、热稳定性及WLED应用的影响. 主要结论如下:
1) XRD物相分析表明, 所有Na+掺杂样品均保持纯相的橄榄石结构, 未引入杂相. 随着Na+掺杂量的增加, 衍射峰呈现系统性向低角度偏移, 证明Na+成功取代Ca2+位点并引起晶格膨胀.
2) PL光谱表明Na+掺杂显著增强了Eu3+特征发射. 在392 nm近紫外光激发下, 609 nm处5D0→7F2电偶极跃迁的红色发射强度在Na+浓度为0.9% 时达到最大值, 为未掺杂样品的1.82倍. 该增强归因于Na+引入导致的晶格畸变, 降低了Eu3+格位的局域对称性, 提高了超灵敏电偶极跃迁概率.
3)优化样品CLEGO:0.9%Na+的荧光寿命为0.93 ms, 量子效率为14.3%, 为未掺杂样品的1.26倍. 变温PL光谱表明荧光粉具有良好的热稳定性, 在498 K高温下发光强度仍保持室温时的64.9%.
4)将最优荧光粉与商用蓝、绿荧光粉混合, 封装于392 nm 近紫外芯片上制备的WLED器件, 色坐标为(0.301, 0.354), 显色指数达81.8, 相关色温为6900 K.
综上, 碱金属Na+掺杂是提升 CaLaGaO4:Eu3+荧光粉发光效率的关键策略, 所开发的红色荧光粉在WLED照明领域展现出潜在的应用能力.
CaLaGaO4:Eu3+的Na+掺杂红光增强及白光发光二极管应用
Enhanced red emission from CaLaGaO4:Eu3+ via Na+ doping toward white light-emitting diode applications
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摘要: 采用高温固相法成功合成了一系列Ca1–0.5xLa0.7Eu0.3GaO4:xNa+(CLEGO:xNa+, x = 0—1.7%)红色荧光粉. X射线衍射分析表明所有样品均为纯相, Na+的引入未改变基质的橄榄石晶体结构. 光致发光光谱分析发现, Na+掺杂显著增强了Eu3+的发光强度, 当掺杂浓度为0.9%时, 其5D0→7F2跃迁的红色发射强度达到未掺杂样品的1.82倍. 最优样品的量子效率为14.3%, 荧光寿命为0.93 ms, 并展现出良好的热稳定性, 在498 K下发光强度仍能维持室温下的64.9%. 将CLEGO:0.9%Na+红色荧光粉与商用蓝、绿荧光粉混合, 封装在392 nm近紫外芯片上, 成功制备出白光发光二极管(LED)器件, 其色坐标为(0.301, 0.354), 显色指数为81.8, 相对色温为6900 K. 本研究证实Na+ 掺杂是提升CLEGO荧光粉发光效率的有效策略, 该荧光粉在白光LED照明领域具有潜在的应用价值.
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关键词:
- CaLaGaO4:Eu3+ /
- Na+掺杂 /
- 发光增强 /
- 红色荧光粉 /
- 白光发光二极管
Abstract:The lack of efficient red phosphors for near-ultraviolet (n-UV) chip-based white light-emitting diodes (WLEDs) remains a major challenge. In this work, we aim to enhance the red emission of Eu3+-activated CaLaGaO4 (CLGO) phosphors via Na+ doping and to evaluate their potential for WLED applications. A series of Na+-doped Ca1–0.5xLa0.7Eu0.3GaO4:xNa+ (CLEGO:xNa+, x = 0–1.7%) red phosphors are synthesized by a conventional high-temperature solid-state reaction at 1246 ℃. The crystal structure and phase purity are characterized by X-ray diffraction (XRD) and Rietveld refinement. Morphology and elemental distribution are examined by scanning electron microscopy (SEM) and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDS). Photoluminescence (PL) excitation and emission spectra, temperature-dependent PL (298–498 K), fluorescence decay curves, and absolute quantum yields (QY) are measured. Finally, a WLED device is fabricated by combining the optimized red phosphor with commercial BaMgAl10O17:Eu2+ (blue) and Sr2SiO4:Eu2+ (green) phosphors on a 392 nm n-UV chip. XRD confirms that all samples are phase-pure with an olivine-type structure. Rietveld refinement shows that Na+ substitutes for Ca2+ sites, causing lattice expansion; the cell volume increases from 423.93 to 425.58 Å3. Under 392 nm excitation, the 5D0→7F2 red emission at 609 nm is strongly enhanced by Na+ doping. The optimal intensity is achieved at x = 0.9%, being 1.82 times that of the undoped sample. The improvement is attributed to Na+-induced local lattice distortion, which reduces the symmetry around Eu3+ and increases the electric dipole transition probability. The CLEGO:0.9%Na+ phosphor exhibits a QY of 14.3%, which is 1.26 times that of the undoped sample. Temperature-dependent PL spectra reveal good thermal stability; at 498 K the emission intensity remains 64.9% of that at room temperature. The WLED device shows white light with chromaticity coordinates of (0.301, 0.354), a color rendering index (CRI) of 81.8, and a correlated color temperature (CCT) of 6900 K. In summary, Na+ doping is an effective strategy to achieve significant luminescence enhancement in CLEGO:Eu3+ red-emitting phosphors. The optimized CLEGO:0.9%Na+ phosphor combines high emission intensity, acceptable quantum efficiency, good thermal stability, and suitable color coordinates. The fabricated WLED device demonstrates satisfactory white-light performance, indicating that this red phosphor is a promising candidate for n-UV chip-based WLED applications. -
Key words:
- CaLaGaO4:Eu3+ /
- Na+ doping /
- luminescence enhancement /
- red phosphors /
- white light-emitting diode .
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图 1 CLEGO:xNa+ 荧光粉的XRD图谱(a)、局部放大图(b)以及CLEGO:0.1%Na+ (c)和CLEGO:0.9%Na+ (d)的结构精修图谱
Figure 1. XRD patterns (a) and enlarged view (b) of CLEGO:xNa+ phosphors; Rietveld refinement patterns of CLEGO:0.1%Na+ (c) and CLEGO:0.9%Na+ (d).
图 2 CLEGO:0.9%Na+ 的SEM图像(a)、EDS元素面分布((b)—(g))及EDS能谱图(h)
Figure 2. SEM image (a), EDS elemental mappings ((b)–(g)), and EDS spectrum (h) of CLEGO:0.9%Na+.
图 3 CLEGO和CLEGO:0.9%Na+ 荧光粉的漫反射光谱图(插图: Tauc关系图)
Figure 3. Diffuse reflectance spectra of CLEGO and CLEGO:0.9%Na+ phosphors (Inset: Tauc plots).
图 4 (a) CLEGO:0.9%Na+ 的激发和发射光谱图; (b) CLEGO:xNa+ 发射光谱图. 插图: 发光相对强度与Na+ 离子掺杂浓度的关系
Figure 4. (a) Excitation and emission spectra of CLEGO:0.9%Na+; (b) emission spectra of CLEGO:xNa+. Inset: relative intensity as a function of Na+ doping concentration.
图 5 (a) CLEGO:0.9%Na+ 荧光粉在不同温度(298—498 K)下的发射光谱图; (b) 相应的发射光谱柱状图
Figure 5. (a) Emission spectra of the CLEGO:0.9%Na+ phosphor at different temperatures (298–498 K); (b) the corresponding histogram of the emission spectra.
图 7 CLEGO:0.9%Na+ 样品量子产率(插图: 550—650 nm范围内的放大图)
Figure 7. Quantum yield of CLEGO:0.9%Na+ phosphor (Inset: Enlarged view of the 550–650 nm range).
图 8 (a) CLEGO:0.9%Na+ 器件的色坐标图; (b) CLEGO:0.9%Na+ 荧光粉与蓝色荧光粉BaMgAl10O17:Eu2+和绿色荧光粉Sr2SiO4:Eu2+ 制备的WLED电致发光图谱
Figure 8. (a) Color coordinate diagram of CLEGO:0.9%Na+ device; (b) electroluminescence spectrum of WLED prepared by CLEGO:0.9%Na+ phosphor with blue phosphor BaMgAl10O17:Eu2+ and green phosphor Sr2SiO4:Eu2+.
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[1] Doan V T, Tran M T, Tu N, Trung D Q, Du N V, Quan N V, Bach T N, Hung N D, Ha L T, Huy P T 2025 J. Mol. Struct. 1319 139568 doi: 10.1016/j.molstruc.2024.139568 [2] He P H, Li Y, Zuo J X, Zhang B J, Yang F L, Peng J Q, Liu S B, Wang W, Huang D C, Xiao Y F, Ye X Y 2024 J. Alloys Compd. 985 173997 doi: 10.1016/j.jallcom.2024.173997 [3] Wang Q, Chen Y, Feng M J, Guo H 2024 Ceram. Int. 50 45739 doi: 10.1016/j.ceramint.2024.08.414 [4] Chang Y S, You C X, Kuo T C 2024 Ceram. Int. 50 52294 doi: 10.1016/j.ceramint.2024.10.081 [5] Li H B, Zhou D, Ling J R, Zhang H T, Xu W T, Zhou Y F, Hong M C 2024 Ceram. Int. 50 30587 doi: 10.1016/j.ceramint.2024.05.357 [6] Guo Z W, Jiang H M, Li H, Zhang H Z, Liu C L, Zhao R, Li J P, Zhang J, Zhu J 2024 Appl. Mater. Today 37 102095 doi: 10.1016/j.apmt.2024.102095 [7] Chen X Y, Huang X Y 2024 ACS Appl. Mater. Interfaces 16 57365 doi: 10.1021/acsami.4c12244 [8] Desirena H, Molina J, Meza O, Benitez A, Bujdud-Perez J, Briones-Hernandez J 2022 J. Lumin. 250 119080 doi: 10.1016/j.jlumin.2022.119080 [9] Fan X Y, Si J Y, Xu M J, Li G H, Tang J M, Cai G M 2021 Ceram. Int. 47 12056 doi: 10.1016/j.ceramint.2021.01.049 [10] Baby B, Thomas S, Krishnapriya T, Jose J, Biju P R, Joseph C 2023 J. Lumin. 254 119510 doi: 10.1016/j.jlumin.2022.119510 [11] Mao Q N, Shen B, Yang T, Zhong J S, Wu G Q 2020 Ceram. Int. 46 19328 doi: 10.1016/j.ceramint.2020.04.273 [12] Wang F, Chen H H, Zhang S W, Jin H Q 2025 J. Am. Ceram. Soc. 108 e20200 doi: 10.1111/jace.20200 [13] Zhou J, Liu Q, Feng W, Sun Y, Li F Y 2015 Chem. Rev. 115 395 doi: 10.1021/cr400478f [14] Rohilla P, Rao A S 2023 J. Mater. Sci. Mater. Electron. 34 1662 doi: 10.1007/s10854-023-11025-1 [15] Deng M L, Huang S, Sun Y X, Wang Y N, Yan Y, Shang M M 2023 J. Lumin. 263 120137 doi: 10.1016/j.jlumin.2023.120137 [16] Linghu P, Gong X Y, Zhang J, Cui R R, Guo X 2023 J. Solid State Chem. 327 124282 doi: 10.1016/j.jssc.2023.124282 [17] Zou, L Y, Yang N, Zhang Z W, Chen J, Shi J X 2023 Opt. Mater. 143 114199 doi: 10.1016/j.optmat.2023.114199 [18] Ruan F Y, Fan G D, Li N, Zhou J F, Li Y, Fan D, Chen Q Q, Lin Z Y 2024 Ceram. Int. 50 12866 doi: 10.1016/j.ceramint.2024.01.194 [19] Rajkumar G, Ponnusamy V, Kanmani G V, Jose M T 2022 Ceram. Int. 48 10 doi: 10.1016/j.ceramint.2021.07.185 [20] Bian X M, Hu J S, Liu L X, Li Y Z, Lv W Q, Ilyas N, Yang D M, Fu H 2022 J. Lumin. 245 118800 doi: 10.1016/j.jlumin.2022.118800 [21] Zhao J F, Gao H, Xu H, Zhao Z W, Bu H X, Cao X F, He L N, Yang Z F, Sun J Y 2021 RSC Adv. 11 8282 doi: 10.1039/D1RA00165E [22] Voiculescu A M, Hau S, Stanciu G, Gheorghe C 2023 J. Alloys Compd. 958 170507 doi: 10.1016/j.jallcom.2023.170507 [23] Araiza S M, Slowinska K, Derakhshan S 2019 J. Lumin. 216 116747 doi: 10.1016/j.jlumin.2019.116747 [24] Santra A, Das A, Murmu S, Ghorai UK 2023 J. Indian Chem. Soc. 100 101071 doi: 10.1016/j.jics.2023.101071 [25] Altowyan A S, Çoban M B, Kaynar U H, Hakami J, Cin E A, Kaynar S C, Ayvacikli M, Can N 2024 Ceram. Int. 50 24036 doi: 10.1016/j.ceramint.2024.04.135 [26] Abulimiti H, Sidike A, He J Y 2024 Ceram. Int. 50 26077 doi: 10.1016/j.ceramint.2024.04.349 [27] Deng J M, Wang Z H, Zhou W P, Min J E, Yu M Y, Jiang X L, Ding H Q, Xue Z Y, Jin M Q, Gao F, Cheng Z Z, Luo G S 2023 Ceram. Int. 49 39568 doi: 10.1016/j.ceramint.2023.09.308 [28] Guo L N, Wang Y H, Zou Z H, Wang B, Guo X X, Han L L, Zeng W 2014 J. Mater. Chem. C 2 2765 doi: 10.1039/c3tc32540g [29] Veena V P, Sajith S V, Thasneem A M H, Aardhra M, Shilpa C K, Jasira S V, Nissamudeen K M 2024 Mater. Sci. Semicond. Process. 179 108497 doi: 10.1016/j.mssp.2024.108497 [30] 赵炎, 蒋小康, 李忠辉, 王佳旭, 周恒为, 郭海 2024 无机化学学报 40 1861 doi: 10.11862/CJIC.20240242 Zhao Y, Jiang X K, Li Z H, Wang J X, Zhou H W, Guo H 2024 Chin. J. Inorg. Chem. 40 1861 doi: 10.11862/CJIC.20240242 [31] Zhao Y, Li Z H, Wang J X, Zhao X S, Liu C L, Ban J F, Zhang X L, Zhou H W, Jiang X K 2025 Opt. Mater. 167 117229 doi: 10.1016/j.optmat.2025.117229 [32] Akanksha M, Bahadur A, Rai S B 2018 J. Lumin. 203 714 doi: 10.1016/j.jlumin.2018.07.025 [33] 刘芳芳, 代正忙, 周薇薇, 李荣青, 夏峥嵘, 王子峰, 杨密爱, 朱浩东, 赵旺 2025 发光学报 46 691 doi: 10.37188/CJL.20240309 Liu F F, Dai Z M, Zhou W W, Li R Q, Xia Z R, Wang Z F, Yang M A, Zhu H D, Zhao W 2025 Chin. J. Lumin. 46 691 doi: 10.37188/CJL.20240309 [34] 禄靖雯, 赵瑾, 张永春, 涂茹婷, 刘馥妮, 冷稚华 2024 物理学报 73 214204 doi: 10.7498/aps.73.20241017 Lu J W, Zhao J, Zhang Y C, Tu R T, Liu F N, Leng Z H 2024 Acta Phys. Sin. 73 214204 doi: 10.7498/aps.73.20241017 [35] Yang S W, Wu M, He C, Wu Y P, Zhang Y J, Yu J J 2024 J. Alloys Compd. 989 174295 doi: 10.1016/j.jallcom.2024.174295 [36] 王谨, 赵淑娟, 唐沛, 李贵花, 蔡格梅 2025 发光学报 46 1442 doi: 10.37188/CJL.20250095 Wang J, Zhao S J, Tang P, Li G H, Cai G M 2025 Chin. J. Lumin. 46 1442 doi: 10.37188/CJL.20250095 -
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