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二维半导体中电子能谷研究新进展

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曾华凌, 崔晓冬. 2016: 二维半导体中电子能谷研究新进展, 物理, 45(8): 505-509. doi: 10.7693/wl20160803
引用本文: 曾华凌, 崔晓冬. 2016: 二维半导体中电子能谷研究新进展, 物理, 45(8): 505-509. doi: 10.7693/wl20160803
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ZENG Hua-Ling, CUI Xiao-Dong. 2016: The valleytronics of novel 2-dimension semiconductors, Physics, 45(8): 505-509. doi: 10.7693/wl20160803
Citation: ZENG Hua-Ling, CUI Xiao-Dong. 2016: The valleytronics of novel 2-dimension semiconductors, Physics, 45(8): 505-509. doi: 10.7693/wl20160803
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二维半导体中电子能谷研究新进展

  • 中国科学技术大学 合肥微尺度物质科学国家实验室 国际功能材料量子设计中心 合肥230026

  • 香港大学物理系 香港999077

The valleytronics of novel 2-dimension semiconductors

  • 摘要: 物质材料伴随着体系维度的降低往往会衍生出新的特性,展现丰富的物理现象,并带来新奇可观测及可操控的量子态.作为新兴超薄半导体出现的二维六族过渡金属硫化物,除了具有区别于块体材料的直接能隙,在其第一布里渊区里还存在着简并但不等价的分立能谷.由于体系中空间反演对称性的破缺,在这些能谷里,电子及空穴具有非零且相反的轨道磁矩以及贝里曲率,从而提供了利用外场对能谷自由度进行量子调控的前提.文章对二维六族过渡金属硫化物中能谷电子学的发展进行了介绍,并对未来的潜在发展方向做出一些展望.
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出版历程
  • 刊出日期:  2016-08-12

二维半导体中电子能谷研究新进展

  • 中国科学技术大学 合肥微尺度物质科学国家实验室 国际功能材料量子设计中心 合肥230026
  • 香港大学物理系 香港999077

摘要: 物质材料伴随着体系维度的降低往往会衍生出新的特性,展现丰富的物理现象,并带来新奇可观测及可操控的量子态.作为新兴超薄半导体出现的二维六族过渡金属硫化物,除了具有区别于块体材料的直接能隙,在其第一布里渊区里还存在着简并但不等价的分立能谷.由于体系中空间反演对称性的破缺,在这些能谷里,电子及空穴具有非零且相反的轨道磁矩以及贝里曲率,从而提供了利用外场对能谷自由度进行量子调控的前提.文章对二维六族过渡金属硫化物中能谷电子学的发展进行了介绍,并对未来的潜在发展方向做出一些展望.

English Abstract

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