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谷电子自由度电学调控的首次实现

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王海龙, 叶堉, 赵建华, 张翔. 2016: 谷电子自由度电学调控的首次实现, 物理, 45(8): 516-519. doi: 10.7693/wl20160805
引用本文: 王海龙, 叶堉, 赵建华, 张翔. 2016: 谷电子自由度电学调控的首次实现, 物理, 45(8): 516-519. doi: 10.7693/wl20160805
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WANG Hai-Long, YE Yu, ZHAO Jian-Hua, ZHANG Xiang. 2016: First demonstration of the electrical control of the valley degree of freedom, Physics, 45(8): 516-519. doi: 10.7693/wl20160805
Citation: WANG Hai-Long, YE Yu, ZHAO Jian-Hua, ZHANG Xiang. 2016: First demonstration of the electrical control of the valley degree of freedom, Physics, 45(8): 516-519. doi: 10.7693/wl20160805
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谷电子自由度电学调控的首次实现

  • 中国科学院半导体研究所 北京 100083

  • 加州大学 伯克利 加利福尼亚 94720

First demonstration of the electrical control of the valley degree of freedom

  • 摘要: 对电子电荷和自旋自由度的电学调控奠定了微纳电子器件和自旋电子器件的工作基础,然而人们对固体材料中电子谷自由度的有效电学调控还处在研究探索阶段.文章简要介绍作者在单层过渡金属硫族化合物(TMDC)和磁性半导体(Ga,Mn)As构成的pn结中,利用电学自旋注入方法首次成功实现对电子谷自由度进行电学调控的工作.
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出版历程
  • 刊出日期:  2016-08-12

谷电子自由度电学调控的首次实现

  • 中国科学院半导体研究所 北京 100083
  • 加州大学 伯克利 加利福尼亚 94720

摘要: 对电子电荷和自旋自由度的电学调控奠定了微纳电子器件和自旋电子器件的工作基础,然而人们对固体材料中电子谷自由度的有效电学调控还处在研究探索阶段.文章简要介绍作者在单层过渡金属硫族化合物(TMDC)和磁性半导体(Ga,Mn)As构成的pn结中,利用电学自旋注入方法首次成功实现对电子谷自由度进行电学调控的工作.

English Abstract

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