新型磁性二维材料Fe3GeTe2及其室温磁性调控
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摘要: 现代微电子器件的发展,很大程度上依赖于工艺与材料的突破,其中特别是对磁性薄膜材料的基础研究,已经使自旋电子学领域有了革命性的进展.为了获得具有广泛应用前景且更高性能的电子学器件,对于新型的磁性薄膜材料的研究是非常重要的课题.
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引用本文: | 邓雨君, 於逸骏, 张远波. 2019: 新型磁性二维材料Fe3GeTe2及其室温磁性调控, 物理, 48(2): 88-90. doi: 10.7693/wl20190203 |
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摘要: 现代微电子器件的发展,很大程度上依赖于工艺与材料的突破,其中特别是对磁性薄膜材料的基础研究,已经使自旋电子学领域有了革命性的进展.为了获得具有广泛应用前景且更高性能的电子学器件,对于新型的磁性薄膜材料的研究是非常重要的课题.