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二维硒化铟晶圆：未来半导体新材料

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秦彪, 刘灿, 刘开辉. 2025: 二维硒化铟晶圆：未来半导体新材料, 物理, 54(9): 647-649. doi: 10.7693/wl20250906
引用本文: 秦彪, 刘灿, 刘开辉. 2025: 二维硒化铟晶圆：未来半导体新材料, 物理, 54(9): 647-649. doi: 10.7693/wl20250906
shu
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二维硒化铟晶圆：未来半导体新材料

  • 1 北京大学物理学院 人工微结构和介观物理全国重点实验室 北京 100871;

  • 2 重庆大学物理学院 量子材料与器件研究中心 重庆 401331;

  • 3 中国人民大学物理学院 北京 100872

    • 通讯作者: 刘开辉,email:khliu@pku.edu.cn

  • 摘要: 过去七十余年间，硅作为半导体材料的核心，深刻塑造了现代电子技术的基本格局。1954年，美国德州仪器公司成功研制出第一块硅基晶体管，其物理基础在于p-n结中的载流子调控机制。肖克利、巴丁与布拉顿因在晶体管方面的开创性工作获得了1956年诺贝尔物理学奖。晶体管的发明不仅推动了集成电路的诞生，也奠定了现代微电子学的基础。
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出版历程
  • 收稿日期:  2025-08-27

二维硒化铟晶圆：未来半导体新材料

    通讯作者: 刘开辉,email:khliu@pku.edu.cn
  • 1 北京大学物理学院 人工微结构和介观物理全国重点实验室 北京 100871;
  • 2 重庆大学物理学院 量子材料与器件研究中心 重庆 401331;
  • 3 中国人民大学物理学院 北京 100872
  • 收稿日期:  2025-08-27

摘要: 过去七十余年间，硅作为半导体材料的核心，深刻塑造了现代电子技术的基本格局。1954年，美国德州仪器公司成功研制出第一块硅基晶体管，其物理基础在于p-n结中的载流子调控机制。肖克利、巴丁与布拉顿因在晶体管方面的开创性工作获得了1956年诺贝尔物理学奖。晶体管的发明不仅推动了集成电路的诞生，也奠定了现代微电子学的基础。

English Abstract

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