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自旋存储技术：从大容量硬盘到高性能磁存储器

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王璐丁, 魏家琦, 林晓阳. 2025: 自旋存储技术：从大容量硬盘到高性能磁存储器, 物理, 54(12): 827-837. doi: 10.7693/wl20251203
引用本文: 王璐丁, 魏家琦, 林晓阳. 2025: 自旋存储技术：从大容量硬盘到高性能磁存储器, 物理, 54(12): 827-837. doi: 10.7693/wl20251203
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WANG Lu-Ding, WEI Jia-Qi, LIN Xiao-Yang. 2025: Spintronic memory technology: from high-capacity hard drives to high-performance magnetic memories, Physics, 54(12): 827-837. doi: 10.7693/wl20251203
Citation: WANG Lu-Ding, WEI Jia-Qi, LIN Xiao-Yang. 2025: Spintronic memory technology: from high-capacity hard drives to high-performance magnetic memories, Physics, 54(12): 827-837. doi: 10.7693/wl20251203
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自旋存储技术：从大容量硬盘到高性能磁存储器

  • 1 杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院) 自旋芯片与技术全国重点实验室 杭州 311115;

  • 2 北京航空航天大学集成电路科学与工程学院 北京 100191

    • 通讯作者: 魏家琦,email:weijiaqi@buaa.edu.cn;  林晓阳,email:XYLin@buaa.edu.cn
  • 基金项目:

    国家自然科学基金(批准号：52261145694；T2394475)、杭州市北航国际创新研究院科研启动经费(批准号：2024KQ052)资助项目

Spintronic memory technology: from high-capacity hard drives to high-performance magnetic memories

  • 1 State Key Laboratory of Spintronics, Hangzhou International Innovation Institute of Beihang University, Hangzhou 311115, China;

  • 2 School of Integrated Circuit Science and Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China

    • Corresponding authors: WEI Jia-Qi ;  LIN Xiao-Yang

  • 摘要: 自旋电子学器件以电子自旋为信息载体，具有非易失性、低功耗和高可靠性等优势，成为后摩尔时代新兴芯片技术的典型代表。文章系统概述了自旋存储技术的发展脉络与最新进展。首先从大容量硬盘存储出发，介绍了以自旋转移矩和自旋轨道矩为代表的高性能磁存储器。之后围绕“磁—光—电”交叉融合，面向新一代超快自旋存储器研制，论述了基于全光磁写入机制的磁存储器在速度及功耗方面的独特优势。展望未来，自旋存储将进一步赋能后摩尔时代芯片技术的快速演进，为“存算一体”等全新架构提供引领和支撑。
    Abstract: Spintronics, which utilizes the electron spin as an information carrier, offers key advantages such as non-volatility, low power consumption, and high reliability, making it an emerging technology in the post-Moore era. This article provides an overview of spintronic memory technologies. We trace back from high-capacity hard disk drives to high-performance magnetic memories, such as spin-transfer torque and spin-orbit torque. In this context, we focus on next-generation ultrafast spintronic memories research, which is enabled by magneto-optoelectronic integration. We further examine the potential of all-optical switching for spintronic memory chips. As a perspective, spintronics is expected to empower post-Moore chip evolution, and to provide a key foundation for computing-in-memory architectures.
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出版历程
  • 收稿日期:  2025-08-27

自旋存储技术：从大容量硬盘到高性能磁存储器

    通讯作者: 魏家琦,email:weijiaqi@buaa.edu.cn; 
    通讯作者: 林晓阳,email:XYLin@buaa.edu.cn
  • 1 杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院) 自旋芯片与技术全国重点实验室 杭州 311115;
  • 2 北京航空航天大学集成电路科学与工程学院 北京 100191
  • 收稿日期:  2025-08-27
基金项目: 

摘要: 自旋电子学器件以电子自旋为信息载体，具有非易失性、低功耗和高可靠性等优势，成为后摩尔时代新兴芯片技术的典型代表。文章系统概述了自旋存储技术的发展脉络与最新进展。首先从大容量硬盘存储出发，介绍了以自旋转移矩和自旋轨道矩为代表的高性能磁存储器。之后围绕“磁—光—电”交叉融合，面向新一代超快自旋存储器研制，论述了基于全光磁写入机制的磁存储器在速度及功耗方面的独特优势。展望未来，自旋存储将进一步赋能后摩尔时代芯片技术的快速演进，为“存算一体”等全新架构提供引领和支撑。

English Abstract

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