新型磁性二维材料Fe3GeTe2及其室温磁性调控

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邓雨君, 於逸骏, 张远波. 2019: 新型磁性二维材料Fe3GeTe2及其室温磁性调控, 物理, 48(2): 88-90. doi: 10.7693/wl20190203
引用本文: 邓雨君, 於逸骏, 张远波. 2019: 新型磁性二维材料Fe3GeTe2及其室温磁性调控, 物理, 48(2): 88-90. doi: 10.7693/wl20190203
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新型磁性二维材料Fe3GeTe2及其室温磁性调控

  • 摘要: 现代微电子器件的发展,很大程度上依赖于工艺与材料的突破,其中特别是对磁性薄膜材料的基础研究,已经使自旋电子学领域有了革命性的进展.为了获得具有广泛应用前景且更高性能的电子学器件,对于新型的磁性薄膜材料的研究是非常重要的课题.
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出版历程
  • 刊出日期:  2019-01-01

新型磁性二维材料Fe3GeTe2及其室温磁性调控

  • 复旦大学物理系 表面物理国家重点实验室 上海 200433

摘要: 现代微电子器件的发展,很大程度上依赖于工艺与材料的突破,其中特别是对磁性薄膜材料的基础研究,已经使自旋电子学领域有了革命性的进展.为了获得具有广泛应用前景且更高性能的电子学器件,对于新型的磁性薄膜材料的研究是非常重要的课题.

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