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硅基混合集成技术的研究进展

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李显尧, 袁韬努, 邵士茜, 施祖军, 汪毅, 俞育德, 余金中. 2011: 硅基混合集成技术的研究进展, 物理, 40(1): 28-32.
引用本文: 李显尧, 袁韬努, 邵士茜, 施祖军, 汪毅, 俞育德, 余金中. 2011: 硅基混合集成技术的研究进展, 物理, 40(1): 28-32.
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LI Xian-Yao, YUAN Tao-Nu, SHAO Shi-Qian, SHI Zu-Jun, WANG Yi, YU Yu-De, YU Jin-Zhong. 2011: Silicon hybrid integration, Physics, 40(1): 28-32.
Citation: LI Xian-Yao, YUAN Tao-Nu, SHAO Shi-Qian, SHI Zu-Jun, WANG Yi, YU Yu-De, YU Jin-Zhong. 2011: Silicon hybrid integration, Physics, 40(1): 28-32.
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硅基混合集成技术的研究进展

  • 华中科技大学光电子科学与工程学院,武汉,430074;武汉光电国家实验室(筹),武汉,430074

  • 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083

Silicon hybrid integration

  • 摘要: 硅基光电子集成技术(PICs)为高速宽带光互连和光通信的发展提供了一种低成本的有效方案,受到人们的高度重视.目前将ⅢIll-V族和锗等半导体化合物集成到硅衬底的方法主要分为两类:异质结外延生长和异质材料的键合.低温下晶片键合的方法克服了异质结外延生长中的生长温度高、品格失配和材料热膨胀系数非共容性的缺点,为大规模的异质(不同半导体材料)集成提供了可能.文章综述了近几年来一些常用的键合方法,并对低温键合方法的发展动向做了展望.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-01-12

硅基混合集成技术的研究进展

  • 华中科技大学光电子科学与工程学院,武汉,430074;武汉光电国家实验室(筹),武汉,430074
  • 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083

摘要: 硅基光电子集成技术(PICs)为高速宽带光互连和光通信的发展提供了一种低成本的有效方案,受到人们的高度重视.目前将ⅢIll-V族和锗等半导体化合物集成到硅衬底的方法主要分为两类:异质结外延生长和异质材料的键合.低温下晶片键合的方法克服了异质结外延生长中的生长温度高、品格失配和材料热膨胀系数非共容性的缺点,为大规模的异质(不同半导体材料)集成提供了可能.文章综述了近几年来一些常用的键合方法,并对低温键合方法的发展动向做了展望.

English Abstract

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