单壁碳纳米管单原子空位缺陷的紧束缚理论研究

陆爱江; 潘必才

doi:10.3321/j.issn:0379-4148.2004.12.006

物理

单壁碳纳米管单原子空位缺陷的紧束缚理论研究

陆爱江, 潘必才. 2004: 单壁碳纳米管单原子空位缺陷的紧束缚理论研究, 物理, 33(12): 878-881. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2004.12.006

引用本文:

陆爱江, 潘必才. 2004: 单壁碳纳米管单原子空位缺陷的紧束缚理论研究, 物理, 33(12): 878-881. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2004.12.006

2004: Study of single vacancies in single-walled carbon nanotubes based on a tight-binding model, Physics, 33(12): 878-881. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2004.12.006

Citation:

2004: Study of single vacancies in single-walled carbon nanotubes based on a tight-binding model, Physics, 33(12): 878-881. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2004.12.006

单壁碳纳米管单原子空位缺陷的紧束缚理论研究

合肥微尺度物质科学国家实验室(筹),中国科学技术大学物理系,合肥,230026

Study of single vacancies in single-walled carbon nanotubes based on a tight-binding model

摘要: 文章在紧束缚势模型基础上系统地研究了非手性单壁碳纳米管上单原子空位缺陷结构和电子结构性质.计算表明,单原子空位缺陷会自发地形成5-1DB型缺陷, 且该缺陷的局域结构和形成能强烈地依赖于碳纳米管的尺寸、旋度和电学性质.同时作者发现这类缺陷在费米能级以上约0.2eV处产生局域的电子态.
- 碳纳米管 /
- 单空位缺陷 /
- 紧束缚势模型