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在Si衬底上自组装生长Ge量子点研究进展

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黄昌俊, 王启明. 2003: 在Si衬底上自组装生长Ge量子点研究进展, 物理, 32(8): 528-532. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2003.08.007
引用本文: 黄昌俊, 王启明. 2003: 在Si衬底上自组装生长Ge量子点研究进展, 物理, 32(8): 528-532. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2003.08.007
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2003: Research progress of self-assembled Ge quantum dots on a Si substrate, Physics, 32(8): 528-532. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2003.08.007
Citation: 2003: Research progress of self-assembled Ge quantum dots on a Si substrate, Physics, 32(8): 528-532. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2003.08.007
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在Si衬底上自组装生长Ge量子点研究进展

  • 中国科学院半导体研究所,集成光电国家重点联合实验室,北京,100083

Research progress of self-assembled Ge quantum dots on a Si substrate

  • 摘要: 在Si衬底上自组装生长纳米尺度的Ge量子点,由于三维量子限制效应的贡献,能够在能带结构上对Si、Ge天然材料的间接带特性实施准直接带结构的改性,使激子行为和带间复合跃迁得到大幅度增强,同时Ge量子点的可控有序相关排列还有助于发展新一代的Si基电子波量子器件.文章回顾了自20世纪80年代末至今Ge/Si量子点生长研究的重要进展,对其潜在的重要应用作出了评述.结合作者自己的研究结果,着重介绍了Ge量子点的生长动力学及其形态的演变过程,指出自组装生长的Ge/Si量子点属Ⅱ型能带结构,其发光效率比一维量子阱有很大增强.探讨了用模板衬底实现对Ge量子点尺寸和分布的有序可控生长方法与途径.
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出版历程
  • 刊出日期:  2003-08-12

在Si衬底上自组装生长Ge量子点研究进展

  • 中国科学院半导体研究所,集成光电国家重点联合实验室,北京,100083

摘要: 在Si衬底上自组装生长纳米尺度的Ge量子点,由于三维量子限制效应的贡献,能够在能带结构上对Si、Ge天然材料的间接带特性实施准直接带结构的改性,使激子行为和带间复合跃迁得到大幅度增强,同时Ge量子点的可控有序相关排列还有助于发展新一代的Si基电子波量子器件.文章回顾了自20世纪80年代末至今Ge/Si量子点生长研究的重要进展,对其潜在的重要应用作出了评述.结合作者自己的研究结果,着重介绍了Ge量子点的生长动力学及其形态的演变过程,指出自组装生长的Ge/Si量子点属Ⅱ型能带结构,其发光效率比一维量子阱有很大增强.探讨了用模板衬底实现对Ge量子点尺寸和分布的有序可控生长方法与途径.

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