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Geant4模拟δ电子对单粒子翻转的影响

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刘建德, 孙友梅, 刘杰, 侯明东, 张战刚, 段敬来, 姚会军, 翟鹏飞. 2012: Geant4模拟δ电子对单粒子翻转的影响, 原子核物理评论, 29(4): 419-424.
引用本文: 刘建德, 孙友梅, 刘杰, 侯明东, 张战刚, 段敬来, 姚会军, 翟鹏飞. 2012: Geant4模拟δ电子对单粒子翻转的影响, 原子核物理评论, 29(4): 419-424.
shu
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shu

Geant4模拟δ电子对单粒子翻转的影响

  • 中国科学院近代物理研究所,甘肃兰州730000 中国科学院研究生院,北京100049

  • 中国科学院近代物理研究所,甘肃兰州,730000

  • 摘要: 利用Geant4蒙特卡洛程序包,基于RPP（Rectangular ParallelePiped Volume）模型构建SRAM器件单元的灵敏体积,编写了重离子在器件材料中的输运程序和单粒子翻转截面计算方法,得到了简化器件结构的单粒子翻转截面σ与线性能量转移LET的关系曲线,计算得到的翻转LET阈值和饱和截面与实验结果基本一致。模拟获得了LET值为99.69MeV/（cm-2.mg）的Bi离子及LET值为69MeV/（cm-2.mg）的Bi离子和Xe离子在器件材料中产生的δ电子分布图像,讨论了δ电子分布对翻转截面的影响。计算了灵敏体积中能量沉积与δ电子分布的关系,认为δ电子分布对单粒子效应的影响随着器件的特征尺寸减小将更加严重。
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-12-20

Geant4模拟δ电子对单粒子翻转的影响

  • 中国科学院近代物理研究所,甘肃兰州730000 中国科学院研究生院,北京100049
  • 中国科学院近代物理研究所,甘肃兰州,730000

摘要: 利用Geant4蒙特卡洛程序包,基于RPP（Rectangular ParallelePiped Volume）模型构建SRAM器件单元的灵敏体积,编写了重离子在器件材料中的输运程序和单粒子翻转截面计算方法,得到了简化器件结构的单粒子翻转截面σ与线性能量转移LET的关系曲线,计算得到的翻转LET阈值和饱和截面与实验结果基本一致。模拟获得了LET值为99.69MeV/（cm-2.mg）的Bi离子及LET值为69MeV/（cm-2.mg）的Bi离子和Xe离子在器件材料中产生的δ电子分布图像,讨论了δ电子分布对翻转截面的影响。计算了灵敏体积中能量沉积与δ电子分布的关系,认为δ电子分布对单粒子效应的影响随着器件的特征尺寸减小将更加严重。

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