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低速高电荷态重离子在C60薄膜中引起的势效应研究

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付云翀, 姚存峰, 金运范. 2010: 低速高电荷态重离子在C60薄膜中引起的势效应研究, 原子核物理评论, 27(2): 223-227.
引用本文: 付云翀, 姚存峰, 金运范. 2010: 低速高电荷态重离子在C60薄膜中引起的势效应研究, 原子核物理评论, 27(2): 223-227.
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FU Yun-chong, YAO Cun-feng, JIN Yun-fan. 2010: Studies of Slow Highly-charged Ion Irradiated C60 Films, Nuclear Physics Review, 27(2): 223-227.
Citation: FU Yun-chong, YAO Cun-feng, JIN Yun-fan. 2010: Studies of Slow Highly-charged Ion Irradiated C60 Films, Nuclear Physics Review, 27(2): 223-227.
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低速高电荷态重离子在C60薄膜中引起的势效应研究

  • 中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州730000;中国科学院研究生院,北京100049

  • 中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州730000

Studies of Slow Highly-charged Ion Irradiated C60 Films

  • 摘要: 为了研究低速高电荷态离子在C60薄膜中引起的势效应,用能量为200 keV的高电荷态Xen+(n=3,10,13,15,17,20,22,23)离子辐照了C60薄膜.用原子力显微镜(AFM)和Raman散射技术分析了辐照过程中高电荷态Xen+离子所储存势能在C60薄膜中引起的效应,即势效应.AFM分析结果表明,辐照C60薄膜的表面粗糙度随辐照Xen+离子电荷态(即势能)的增加而减小,揭示了势效应的存在.而Raman分析结果表明,由于Xe离子的动能远大于其所储存的势能,因此,尽管有表面势效应的影响,但在Raman分析的深度范围内,弹性碰撞还是主导了C60薄膜的损伤过程.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-06-20

低速高电荷态重离子在C60薄膜中引起的势效应研究

  • 中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州730000;中国科学院研究生院,北京100049
  • 中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州730000

摘要: 为了研究低速高电荷态离子在C60薄膜中引起的势效应,用能量为200 keV的高电荷态Xen+(n=3,10,13,15,17,20,22,23)离子辐照了C60薄膜.用原子力显微镜(AFM)和Raman散射技术分析了辐照过程中高电荷态Xen+离子所储存势能在C60薄膜中引起的效应,即势效应.AFM分析结果表明,辐照C60薄膜的表面粗糙度随辐照Xen+离子电荷态(即势能)的增加而减小,揭示了势效应的存在.而Raman分析结果表明,由于Xe离子的动能远大于其所储存的势能,因此,尽管有表面势效应的影响,但在Raman分析的深度范围内,弹性碰撞还是主导了C60薄膜的损伤过程.

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