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低能Co离子注入单晶Zno的光致发光特性

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李天晶, 高行新, 李公平, 李玉红. 2009: 低能Co离子注入单晶Zno的光致发光特性, 原子核物理评论, 26(3): 238-241.
引用本文: 李天晶, 高行新, 李公平, 李玉红. 2009: 低能Co离子注入单晶Zno的光致发光特性, 原子核物理评论, 26(3): 238-241.
shu
LI Tian-jing, GAO Xing-xin, LI Gong-ping, LI Yu-hong. 2009: Photoluminescence of Low-energy Co Ions Implanted Crystal ZnO, Nuclear Physics Review, 26(3): 238-241.
Citation: LI Tian-jing, GAO Xing-xin, LI Gong-ping, LI Yu-hong. 2009: Photoluminescence of Low-energy Co Ions Implanted Crystal ZnO, Nuclear Physics Review, 26(3): 238-241.
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低能Co离子注入单晶Zno的光致发光特性

  • 兰州大学核科学与技术学院,甘肃,兰州,730000

Photoluminescence of Low-energy Co Ions Implanted Crystal ZnO

  • 摘要: 采用离子注入法研究了Co离子注入ZnO晶体的光致发光效应.对离子注入后的样品在Ar气保护下进行退火处理,退火温度为700℃,退火时间为10 min,在其光致发光谱中观察到了406和370 nm的紫光发射峰.对比了Co,Cu离子分别注入的ZnO晶体的光致发光谱,观测到二者的光致发光谱类似.同时,研究了Co离子注入剂量对样品发光性质的影响,结果表明随注入剂量的增加绿色发光中心逐渐向低能边偏移,分析认为绿色发光中心的偏移与离子注入后ZnO晶体的禁带宽度发生改变相关.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-09-20

低能Co离子注入单晶Zno的光致发光特性

  • 兰州大学核科学与技术学院,甘肃,兰州,730000

摘要: 采用离子注入法研究了Co离子注入ZnO晶体的光致发光效应.对离子注入后的样品在Ar气保护下进行退火处理,退火温度为700℃,退火时间为10 min,在其光致发光谱中观察到了406和370 nm的紫光发射峰.对比了Co,Cu离子分别注入的ZnO晶体的光致发光谱,观测到二者的光致发光谱类似.同时,研究了Co离子注入剂量对样品发光性质的影响,结果表明随注入剂量的增加绿色发光中心逐渐向低能边偏移,分析认为绿色发光中心的偏移与离子注入后ZnO晶体的禁带宽度发生改变相关.

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