电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究

薛智浩; 孙友梅; 常海龙; 刘杰; 侯明东; 姚会军; 莫丹; 陈艳峰

原子核物理评论

电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究

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薛智浩, 孙友梅, 常海龙, 刘杰, 侯明东, 姚会军, 莫丹, 陈艳峰. 2008: 电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究, 原子核物理评论, 25(3): 277-281.

引用本文:

薛智浩, 孙友梅, 常海龙, 刘杰, 侯明东, 姚会军, 莫丹, 陈艳峰. 2008: 电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究, 原子核物理评论, 25(3): 277-281.

XUE Zhi-hao, SUN You-mei, CHANG Hai-long, LIU Jie, HOU Ming-dong, YAO Hui-jun, MO Dan, CHENYan-feng. 2008: Research on Fabrication Technology of Micro-pore Array in Silicon Using Electro-chemical Etching, Nuclear Physics Review, 25(3): 277-281.

Citation:

电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究

中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000;中国科学院研究生院,北京,100049
中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000

Research on Fabrication Technology of Micro-pore Array in Silicon Using Electro-chemical Etching

摘要: 对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索. 通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索,确定在室温下制备大孔阵列的最佳配比浓度,蚀刻出符合要求的管坑阵列,为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础.
- 各向异性蚀刻 /
- 微孔阵列 /
- 电化学蚀刻