原位溅射型单次试开密码鉴别电路

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王宇航, 高杨, 韩宾, 贾乐. 2016: 原位溅射型单次试开密码鉴别电路, 强激光与粒子束, 28(11): 114101. doi: 10.11884/HPLPB201628.160140
引用本文: 王宇航, 高杨, 韩宾, 贾乐. 2016: 原位溅射型单次试开密码鉴别电路, 强激光与粒子束, 28(11): 114101. doi: 10.11884/HPLPB201628.160140
Wang Yuhang, Gao Yang, Han Bin, Jia Le. 2016: In-situ sputtering type single-try discriminator circuit, High Power Lase and Particle Beams, 28(11): 114101. doi: 10.11884/HPLPB201628.160140
Citation: Wang Yuhang, Gao Yang, Han Bin, Jia Le. 2016: In-situ sputtering type single-try discriminator circuit, High Power Lase and Particle Beams, 28(11): 114101. doi: 10.11884/HPLPB201628.160140

原位溅射型单次试开密码鉴别电路

In-situ sputtering type single-try discriminator circuit

  • 摘要: 针对目前微机电系统密码锁中的鉴别器结构复杂、智能电子密码锁可靠性不高的问题,设计了一种 N bit 的原位溅射型单次试开密码鉴别电路。N bit 的密码鉴别电路,由2N (N 级、每级2个)个原位溅射型 OFF-ON 开关按照每级“二选一”的逻辑、N 级级联的形式构成;将原位溅射型 OFF-ON 开关(OFF 态到 ON态的单向切换具有不可逆特性)与具有熔断特性的保险丝按照装定密码对应的电路关系进行连接,构成了原位溅射型单次试开固态密码锁,可将此密码锁用于对安全性要求高的要害系统、设施中。为了获得原位溅射型OFF-ON 开关中金属爆炸箔与叉指电极之间的间隙,给出了三种固态密码鉴别电路的微加工工艺方案。
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出版历程
  • 刊出日期:  2016-11-30

原位溅射型单次试开密码鉴别电路

  • 西南科技大学 信息工程学院,四川 绵阳 621010; 核探测与核电子学国家重点实验室,北京 100049
  • 中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川 绵阳 621999; 重庆大学 新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室,重庆 400044
  • 西南科技大学 信息工程学院,四川 绵阳,621010

摘要: 针对目前微机电系统密码锁中的鉴别器结构复杂、智能电子密码锁可靠性不高的问题,设计了一种 N bit 的原位溅射型单次试开密码鉴别电路。N bit 的密码鉴别电路,由2N (N 级、每级2个)个原位溅射型 OFF-ON 开关按照每级“二选一”的逻辑、N 级级联的形式构成;将原位溅射型 OFF-ON 开关(OFF 态到 ON态的单向切换具有不可逆特性)与具有熔断特性的保险丝按照装定密码对应的电路关系进行连接,构成了原位溅射型单次试开固态密码锁,可将此密码锁用于对安全性要求高的要害系统、设施中。为了获得原位溅射型OFF-ON 开关中金属爆炸箔与叉指电极之间的间隙,给出了三种固态密码鉴别电路的微加工工艺方案。

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