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激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响

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张永平, 陈之战, 石旺舟, 章林文, 刘毅, 谌怡. 2015: 激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响, 强激光与粒子束, 27(5): 233-237. doi: 10.11884/HPLPB201527.055003
引用本文: 张永平, 陈之战, 石旺舟, 章林文, 刘毅, 谌怡. 2015: 激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响, 强激光与粒子束, 27(5): 233-237. doi: 10.11884/HPLPB201527.055003
shu
Zhang Yongping, Chen Zhizhan, Shi Wangzhou, Zhang Linwen, Liu Yi, Chen Yi. 2015: Effect of laser excitation energy on resistance of lateral geometry 4H-SiC photoconductive semiconductor switches, High Power Lase and Particle Beams, 27(5): 233-237. doi: 10.11884/HPLPB201527.055003
Citation: Zhang Yongping, Chen Zhizhan, Shi Wangzhou, Zhang Linwen, Liu Yi, Chen Yi. 2015: Effect of laser excitation energy on resistance of lateral geometry 4H-SiC photoconductive semiconductor switches, High Power Lase and Particle Beams, 27(5): 233-237. doi: 10.11884/HPLPB201527.055003
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激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响

  • 上海师范大学 物理系,上海,200234

  • 中国工程物理研究院 流体物理研究所,四川 绵阳,621900

Effect of laser excitation energy on resistance of lateral geometry 4H-SiC photoconductive semiconductor switches

  • 摘要: 采用钒掺杂半绝缘4 H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响.用波长532 nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26.7 mJ增加到43.9 mJ时,光导开关的导通电阻从295 Ω降低到197 Ω.利用复合理论推导出激光触发时导带中载流子浓度随时间的变化规律,并利用MAT-LAB模拟计算了不同触发能量下开关的导通电阻,得到了与实验较一致的结果.在此基础上,提出了降低开关导通电阻的两种途径.
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出版历程
  • 刊出日期:  2015-05-30

激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响

  • 上海师范大学 物理系,上海,200234
  • 中国工程物理研究院 流体物理研究所,四川 绵阳,621900

摘要: 采用钒掺杂半绝缘4 H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响.用波长532 nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26.7 mJ增加到43.9 mJ时,光导开关的导通电阻从295 Ω降低到197 Ω.利用复合理论推导出激光触发时导带中载流子浓度随时间的变化规律,并利用MAT-LAB模拟计算了不同触发能量下开关的导通电阻,得到了与实验较一致的结果.在此基础上,提出了降低开关导通电阻的两种途径.

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