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GaAs光阴极量子效率分布测量

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杨仁俊, 肖德鑫, 李凯, 吴岱, 潘清, 王建新, 杨兴繁. 2015: GaAs光阴极量子效率分布测量, 强激光与粒子束, 27(5): 272-276. doi: 10.11884/HPLPB201527.055103
引用本文: 杨仁俊, 肖德鑫, 李凯, 吴岱, 潘清, 王建新, 杨兴繁. 2015: GaAs光阴极量子效率分布测量, 强激光与粒子束, 27(5): 272-276. doi: 10.11884/HPLPB201527.055103
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Yang Renjun, Xiao Dexin, Li Kai, Wu Dai, Pan Qing, Wang Jianxin, Yang Xingfan. 2015: Quantum efficiency mapping of the GaAs photocathode, High Power Lase and Particle Beams, 27(5): 272-276. doi: 10.11884/HPLPB201527.055103
Citation: Yang Renjun, Xiao Dexin, Li Kai, Wu Dai, Pan Qing, Wang Jianxin, Yang Xingfan. 2015: Quantum efficiency mapping of the GaAs photocathode, High Power Lase and Particle Beams, 27(5): 272-276. doi: 10.11884/HPLPB201527.055103
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GaAs光阴极量子效率分布测量

  • 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,四川 绵阳 621900;中国工程物理研究院 研究生部,北京100088

  • 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,四川 绵阳,621900

Quantum efficiency mapping of the GaAs photocathode

  • 摘要: 基于负电子亲和势GaAs光阴极直流高压注入器,设计并搭建了国内首套光阴极量子效率分布测量系统.该系统利用单透镜实现逐点扫描,并采用LabVIEW进行控制和数据读写.实验表明,该系统单点采样时间小于2.3s,分辨率优于0.32 mm.初步测量了GaAs阴极的量子效率分布,观察到量子效率分布及其衰减的不均匀性,量子效率较高区域的衰减速率更低.
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出版历程
  • 刊出日期:  2015-05-30

GaAs光阴极量子效率分布测量

  • 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,四川 绵阳 621900;中国工程物理研究院 研究生部,北京100088
  • 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,四川 绵阳,621900

摘要: 基于负电子亲和势GaAs光阴极直流高压注入器,设计并搭建了国内首套光阴极量子效率分布测量系统.该系统利用单透镜实现逐点扫描,并采用LabVIEW进行控制和数据读写.实验表明,该系统单点采样时间小于2.3s,分辨率优于0.32 mm.初步测量了GaAs阴极的量子效率分布,观察到量子效率分布及其衰减的不均匀性,量子效率较高区域的衰减速率更低.

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