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PIN限幅器微波脉冲热损伤温度特性

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赵振国, 马弘舸, 赵刚, 王艳, 钟龙权. 2013: PIN限幅器微波脉冲热损伤温度特性, 强激光与粒子束, 25(7): 1741-1746. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1741
引用本文: 赵振国, 马弘舸, 赵刚, 王艳, 钟龙权. 2013: PIN限幅器微波脉冲热损伤温度特性, 强激光与粒子束, 25(7): 1741-1746. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1741
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Zhao Zhenguo, Ma Hongge, Zhao Gang, Wang Yan, Zhong Longquan. 2013: Characteristics of temperature during PIN limiter thermal damage caused by microwaves, High Power Lase and Particle Beams, 25(7): 1741-1746. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1741
Citation: Zhao Zhenguo, Ma Hongge, Zhao Gang, Wang Yan, Zhong Longquan. 2013: Characteristics of temperature during PIN limiter thermal damage caused by microwaves, High Power Lase and Particle Beams, 25(7): 1741-1746. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1741
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PIN限幅器微波脉冲热损伤温度特性

  • 中国工程物理研究院应用电子研究所,高功率微波技术重点实验室,四川绵阳621900 ;中国工程物理研究院研究生部,北京100088

  • 中国工程物理研究院应用电子研究所,高功率微波技术重点实验室,四川绵阳621900

Characteristics of temperature during PIN limiter thermal damage caused by microwaves

  • 摘要: 分析了微波对PIN限幅器的热损伤机理,基于器件物理模拟分析法,利用Sentaurus-TCAD仿真器建立了器件微波热效应模型,研究了频率为5.3,7.5,9.4 GHz的微波信号作用下,器件损伤过程中温度瞬态变化规律和瞬态温度分布规律.结果表明:PIN限幅器尖峰泄露阶段器件温度上升较快；稳态限幅后温度上升缓慢；临近热击穿状态,器件进入热电失控状态,峰值温度快速上升,最终器件因温度过高烧毁；PIN二极管中的I区或P区与I区之间的结边缘处,较容易烧毁.对PIN限幅器进行大功率微波注入实验,器件损伤实验结果与数值模拟结果吻合较好.
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出版历程
  • 刊出日期:  2013-07-30

PIN限幅器微波脉冲热损伤温度特性

  • 中国工程物理研究院应用电子研究所,高功率微波技术重点实验室,四川绵阳621900 ;中国工程物理研究院研究生部,北京100088
  • 中国工程物理研究院应用电子研究所,高功率微波技术重点实验室,四川绵阳621900

摘要: 分析了微波对PIN限幅器的热损伤机理,基于器件物理模拟分析法,利用Sentaurus-TCAD仿真器建立了器件微波热效应模型,研究了频率为5.3,7.5,9.4 GHz的微波信号作用下,器件损伤过程中温度瞬态变化规律和瞬态温度分布规律.结果表明:PIN限幅器尖峰泄露阶段器件温度上升较快；稳态限幅后温度上升缓慢；临近热击穿状态,器件进入热电失控状态,峰值温度快速上升,最终器件因温度过高烧毁；PIN二极管中的I区或P区与I区之间的结边缘处,较容易烧毁.对PIN限幅器进行大功率微波注入实验,器件损伤实验结果与数值模拟结果吻合较好.

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